通富微电（002156）在超先进制程封测领域的产业化进程正加速落地。通富微电超威槟城基地的3nm多芯片产品封装已通过验证，且bumping（凸块）与晶圆级封装测试良率超出客户预期。同时，通富微电计划对通富超威苏州与通富超威槟城两地合计投资56亿元，以全面满足大尺寸多芯片服务器及AI等产品的量产需求。随着高叠层Memory、Hybrid SiP等技术的深度推进，封测环节的产业价值正加速向具备算力芯片深度合作能力的头部企业集中。
产能加码与技术演进
伴随AI与大算力需求的爆发，封装基板的大型化与芯片堆叠的复杂化成为行业核心挑战。为匹配上游算力芯片设计企业（如CPU、GPU等）的迭代节奏，通富微电对前期规划的60亿元资本开支进行调整，计划在生产设施、设备与技术研发等方面共计投资91亿元。其中，针对通富超威苏州、通富超威槟城两大核心海外与边缘基地合计投入56亿元，精准锚定大尺寸多芯片服务器、AI算力产品以及3nm及以下先进制程的研发与量产。此次产能与技术的双重升级，反映出封测环节正从传统的代工配套，演变为决定高端芯片最终性能与良率的关键变量。
先进封装技术与业务格局
通富微电在封测领域的技术储备，深度契合了当前高端算力向多芯片合封演进的趋势。在核心工艺层面，公司不仅已建立薄Die Hybrid SiP双面封装能力，完成了高叠层Memory封装结构开发，更在F CBGA技术领域实现了超大尺寸、多芯片合封关键技术及热管理解决方案的批量量产。此外，公司在CPO（共封装光学）领域的相关研发产品也已进入量产导入阶段。
在产业链生态中，通富微电凭借与全球算力芯片龙头AMD形成的深度“合资+合作”模式，承接了该客户超过80%的封测订单，确立了其在高端算力芯片封装赛道的关键卡位。相关业务也直接拉动了各基地的规模跃升，通富超威苏州与通富超威槟城分别实现79.71亿元与94.11亿元营收，连同其他各工厂营收均创下历史新高纪录。面对未来，超先进制程封测赛道依然面临研发及量产进度、半导体周期波动以及行业竞争加剧等多重因素的综合考验。
常见问题
通富微电的先进封装业务主要涵盖了哪些核心技术？
通富微电已建立薄Die Hybrid SiP双面封装能力，完成了高叠层Memory封装结构开发。同时，公司还在F CBGA领域实现了超大尺寸、多芯片合封关键技术及极致热管理解决方案的开发与批量量产。
本次超56亿元的投资具体用于哪些业务方向？
公司计划对通富超威苏州、通富超威槟城两个生产基地共计投资56亿元。这笔资金将主要用于满足大尺寸多芯片的服务器及AI等产品的量产产能扩充，同时支持3nm及以下先进制程产品的后续研发。
3nm多芯片产品封装的验证结果与产能状态如何？
公司通富超威槟城基地的3nm多芯片产品封装已成功通过验证。目前，其bumping和晶圆级封装测试已顺利投产，并且实际良率表现超出了客户的原有预期。