长川科技（300604）处于半导体产业链的上游测试设备供应商位置，主要通过向中游封测厂（OSAT）提供测试机等核心设备，来承接下游AI算力扩张的红利。由于AI训练卡对HBM（高带宽内存）需求激增，HBM采用的多层DRAM堆叠及TSV结构新增了KGSD、TSV、CoW等复杂测试环节，直接带动了测试设备的需求扩张与技术升级，长川科技正迎来需求与技术的双周期机遇。

HBM测试环节变化与产业链驱动

在传统的半导体存储制造中，测试环节相对标准。但随着AI与HPC算力芯片向先进封装演进，HBM凭借多层DRAM堆叠及TSV（硅通孔）结构满足了高带宽需求，同时也大幅增加了制造难度。这种架构的变化，使得产业链中新增了KGSD、TSV、CoW等测试环节，测试步骤和测试时长显著增加。测试复杂度的提升，直接传导至上设备端，驱动HBM存储测试机迎来需求扩张与技术升级的双重新周期。

从上下游传导来看，AI算力的终端需求，拉动了上游DRAM晶圆制造与中游先进封装产能的扩张。盛合晶微、长电科技、通富微电、华天科技等头部封测厂持续扩张先进封装产能，而测试机通常是这些下游封测厂资本开支占比最高的设备之一，进而为上游测试设备供应商带来广阔的增量空间。

长川科技（300604）的产业坐标与技术机遇

在全球测试设备产业链中，长川科技的定位是为封测厂提供核心测试设备的上游供应商。在全球半导体测试机市场长期由海外厂商垄断的背景下，长川科技等本土设备企业在自主可控趋势下迎来了广阔的国产替代空间，仅测试机领域的国产替代空间即超过百亿元人民币。

在终端应用端，当前海外SoC测试需求已以AI芯片为主，而国内目前仍以手机芯片为主。随着华为昇腾、寒武纪、海光等国产算力芯片持续放量，国内AI芯片测试需求占比有望迎来快速提升。同时，面对HBM带来的TSV测试与KGSD等新增测试环节，测试设备的技术门槛随之提高。相关产业的演进也伴随着封测设备需求不及预期、技术研发不及预期以及行业竞争加剧等风险。

常见问题

HBM的新增测试环节与传统存储测试有什么区别？

传统存储测试主要针对单体芯片，而HBM采用了多层DRAM堆叠及TSV结构，由此新增了KGSD、TSV、CoW等复杂的测试环节。这种架构演进使得测试步骤和测试时长显著增加，对测试机的技术要求和需求量均大幅提升。

长川科技（300604）在半导体产业链中处于什么位置？

长川科技处于半导体产业链的上游，主要负责研发和提供测试机等设备。其下游客户为长电科技、通富微电等封测厂（OSAT），测试机是封测厂资本开支占比最高的设备之一，长川科技通过设备供应直接配套先进封装产线。

AI算力发展如何拉动HBM存储测试机需求？

AI训练卡对HBM的快速增长需求，直接带动了先进封装产能的扩张。HBM复杂的堆叠工艺显著提升了测试复杂度，促使封测厂加大对高性能HBM存储测试机的采购力度，从而拉动上游测试设备产业的需求扩张。