受新能源汽车与光伏逆变器需求推动，全球导电型SiC功率器件市场规模有望达89亿美元（年复合增长率达31%）。这一增长趋势正驱动半导体设备赛道格局加速演变，拉普拉斯（688726）凭借在超高温退火等核心工艺的技术积累，已斩获行业主流客户的SiC基半导体器件用超高温退火炉批量订单。同时，先进的薄膜沉积等设备也逐步在先进封装领域实现应用。
SiC功率器件需求爆发与设备端演变
随着终端能源电子化的推进，碳化硅（SiC）器件市场规模快速攀升。这一产业趋势直接向产业链上游传导，促使半导体分立器件设备赛道发生演变：一方面，处理SiC等新兴材料需要超高温退火等更高规格的工艺设备；另一方面，设备企业需要持续推动氧化、退火、镀膜设备的优化，以满足下游迅速扩张的产能需求。在导电型SiC功率器件市场规模冲击89亿美元的背景下，具备核心工艺设备量产能力的厂商迎来了明确的发展机遇。
拉普拉斯的核心工艺布局与经营概况
拉普拉斯在半导体设备赛道采取了深度贴合核心工艺的技术布局。在技术端，公司不仅掌握了半导体超高温退火、薄膜沉积等核心工艺，其积极开发的第一代半导体沉积设备也已实现在先进封装领域的应用。在经营数据的历史口径方面，公司综合毛利率为 29.38%，销售净利率为 11.4%。资产与现金流方面，期末存货账面价值为 30.13 亿元，合同负债为 32.54 亿元，经营活动净现金流为 1.59 亿元。公司在手订单与交付的稳步推进，为其在SiC设备领域的拓展提供了基础。
常见问题
拉普拉斯在SiC半导体设备领域有哪些核心产品？
拉普拉斯的核心产品包括SiC基半导体器件用超高温退火炉。公司已获得行业主流客户对该核心工艺设备的批量化订单，并持续推动氧化、退火、镀膜等一系列半导体分立器件设备的开发与优化。
为什么全球SiC功率器件市场规模能够快速增长？
据Yole数据预测，全球导电型SiC功率器件市场规模有望达89亿美元。这种增长主要受新能源汽车产业发展以及光伏逆变器需求大幅增加的强力推动。
拉普拉斯近期的财务及资产状况有何历史特征？
历史口径显示，拉普拉斯综合毛利率为 29.38%，期间费用率为 13.7%。在资产端，因部分项目加速完成验收，期末存货账面价值为 30.13 亿元，合同负债为 32.54 亿元。此外，基于谨慎性原则，公司曾进行过 3.09 亿元的减值计提。