在HBM（高带宽存储器）产业链中，拓荆科技（688072）处于上游的核心半导体设备供应节点。面对HBM引入混合键合技术以支持更高堆叠层数与互连密度的行业趋势，拓荆科技依托其晶圆对晶圆、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备，精准卡位先进封装的核心制造环节。作为产业链的基础支撑，其设备为下游HBM制造及3D封装突破物理限制、实现高密度集成提供了关键的技术与产能保障。

HBM产业链与混合键合的关键作用

在半导体产业链中，高带宽存储器（HBM）技术的爆发正驱动芯片加速革新。从产业链维度看，下游应用主要为需要高带宽存储的AI芯片及系统，中游为HBM制造商，而上游则是提供核心制造设备的供应商。

随着先进制程的不断演进，HBM引入混合键合与三维集成技术，旨在打破单芯片制程演进的物理限制。混合键合技术能够支持更高的堆叠层数和互连密度，解决传统封装的性能瓶颈。无论是在3D NAND、3D DRAM，还是在Chiplet（小芯片）与异质集成等先进封装领域，混合键合都实现了不同功能芯片的高密度集成，相关设备在产业链中已形成多领域的需求共振。

拓荆科技在先进封装节点的技术卡位

深耕薄膜沉积设备及三维集成设备领域的拓荆科技，为先进封装节点提供了关键的硬件支撑。公司的三维集成设备矩阵已涵盖晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合以及芯片对晶圆混合键合产品。这些设备直面等离子体均匀性、高深宽比结构的薄膜覆盖性等核心工艺难题，助力下游制造端提升先进制程下的良率与集成度。依托技术突破与规模化量产，公司历史期实现营业收入65.19亿元，其在国产先进封装设备环节的规模化供给能力正持续增强。

常见问题

混合键合在HBM制造中的主要作用是什么？

混合键合在HBM（高带宽存储器）中的主要作用是支持更高的堆叠层数和互连密度。该技术通过三维集成实现不同功能芯片的高密度互连，帮助芯片突破传统平面封装的性能瓶颈，从而提升带宽与存储容量。

拓荆科技（688072）在三维集成领域有哪些具体设备？

拓荆科技已形成相关的三维集成设备产品矩阵，具体包括晶圆对晶圆混合键合设备、晶圆对晶圆熔融键合设备，以及芯片对晶圆混合键合设备。这些设备主要应用于解决高密度集成中的良率与互连难题。

拓荆科技的历史业绩表现如何？

据研报披露的历史数据，拓荆科技在报告期内业务规模实现了大幅增长。其历史期实现营业收入65.19亿元，同比增长58.87%；实现归母净利润9.27亿元，同比增长34.67%。