光芯片是光模块的核心器件，激光器芯片的速率升级与光通信、光模块的代际演进紧密同步。从2.5G到100G，激光器芯片行业的关键拐点并非单一技术突破，而是"光模块速率需求升级—光芯片产品迭代—应用场景扩展"三者相互牵引的结果。 源杰科技的主要产品已覆盖2.5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列，其产品开发演变正是这一升级路径的缩影。
速率升级如何一步步发生
光芯片的发展与光通信和光模块的发展有着密切联系，作为后者的核心组成部分，随着技术迭代推动产品不断升级，当前行业处于加速阶段。
2.5G与10G阶段，激光器芯片主要服务于光纤接入和4G/5G移动通信网络等场景。源杰科技的主要产品即包括2.5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列产品，应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。据ICC数据，2021年源杰科技10G光芯片市场占比20%，处于行业领先地位。
25G阶段，芯片面向5G建设需求。根据C&C的统计，2020年公司凭借25G MWDM 12波段DFB激光器芯片，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。
向100G演进，则与数据中心高速光模块的需求直接相关。源杰科技正在研发布局应用在数据中心400G、800G高速光模块中的100G EML激光器，以及应用在数据中心400G DR4架构的高速硅光模块。
拐点背后的驱动力
AIGC商业化应用加速落地的背景下，算力基础设施的海量增长和升级换代将成为必然趋势。这一趋势对激光器芯片的拉动体现在三个层面：AIGC等技术应用的背后是庞大的算力支撑，直接拉动光模块增量，光芯片作为光模块中最核心的器件深度受益；AIGC的算力要求催生高速率、大带宽的网络需求，光模块向更高速率演进，推动光芯片的技术升级和更新换代；数据中心的网络架构升级导致内部光连接增加，传统三层架构的数据中心正向叶脊架构过渡，意味着光模块需要更快的传输速率和更高的覆盖率，中高端光芯片有望快速放量。
国产替代的结构性特征
各类光芯片国产替代率分化明显，高端光芯片国产替代率仍较低。10G VCSEL/EML等芯片难度较大，国产化率不足40%；25G光芯片国产化率为20%；25G以上光芯片的国产化率只有5%，目前仍以海外光芯片厂商为主。这意味着速率越高，国产替代的空间与难度同步上升。
常见问题
从2.5G到100G，最核心的拐点是什么？
最核心的拐点是光模块速率升级对光芯片提出的同步要求。光芯片与光通信和光模块密不可分，技术持续升级是重点，当前行业处于加速阶段。每一次光模块代际切换，都对应激光器芯片在速率、可靠性与传输距离上的重新设计。
100G EML激光器芯片主要面向什么应用？
源杰科技正在研发布局应用在数据中心400G、800G高速光模块中的100G EML激光器。该芯片可作为400G、800G高速光模块应用的激光器光源，最终满足数据中心100G LR1/FR1/DR1、400G LR4/FR4/DR4与800G DR8架构的需求。
为什么说行业当前处于加速阶段？
AIGC、ChatGPT、6G技术加速推进的背景下，光通信高速率低功耗传输已成为必然趋势，AI算力加速部署为高速率光芯片发展提供了广阔前景。同时，CPO技术渗透进入AI计算集群、高密度数据中心、HPC等短距离传输领域，有望带来持续需求。