政策与产业规划推动算力基础设施建设，正通过光模块需求传导至上游光芯片环节。在AIGC商业化应用加速落地的背景下，算力基础设施的海量增长和升级换代将成为必然趋势，这将直接拉动光模块增量，而光芯片作为光模块中最核心的器件深度受益。100G EML激光器芯片正是面向数据中心400G、800G高速光模块应用的激光器光源，其受益路径是：算力建设带动高速光模块放量，进而拉动高速率激光器芯片的技术升级与需求增长。

传导路径：从算力建设到光芯片

算力基础设施建设的推进，对光通信产业链形成层层拉动：

  • 算力支撑需求：AIGC等技术应用的背后是庞大的算力支撑，直接拉动光模块增量，光芯片作为光模块中最核心的器件深度受益。
  • 高速率演进：AIGC的算力要求催生高速率、大带宽的网络需求，光模块向更高速率演进，有力推动光芯片的技术升级和更新换代。
  • 网络架构升级：数据中心的网络架构升级导致内部光连接增加，传统三层架构的数据中心正向叶脊架构过渡，意味着光模块需要更快的传输速率和更高的覆盖率，中高端光芯片有望快速放量。

100G EML激光器芯片的定位

100G EML激光器芯片处于上述传导链条的关键位置。作为光模块中的核心器件，激光器芯片的性能直接关系到高速光模块的传输能力。

从应用场景看，100G激光器芯片可作为400G、800G高速光模块应用的激光器光源，最终满足数据中心100G LR1/FR1/DR1、400G LR4/FR4/DR4与800G DR8架构的需求。在技术特性上，该类芯片需同时满足高速率、高可靠性、信号失真小的要求，以实现通信的长距离传输。

产业格局与国产化空间

全球光芯片市场由美中日三国占据主导地位，部分欧洲国家拥有技术储备。国内光芯片企业追赶较快，但各类光芯片国产替代率分化明显：10G VCSEL/EML等芯片难度较大，国产化率不足40%；25G光芯片国产化率为20%；25G以上光芯片的国产化率只有5%，目前仍以海外光芯片厂商为主。这一格局意味着中高端光芯片的国产替代仍存在较大空间。

常见问题

100G EML激光器芯片主要用在哪里？

100G EML激光器芯片主要作为高速光模块的激光器光源，面向数据中心400G、800G光模块应用，可满足数据中心100G LR1/FR1/DR1、400G LR4/FR4/DR4与800G DR8等架构的需求。

为什么数据中心架构升级会带动中高端光芯片需求？

传统三层架构的数据中心正向叶脊架构过渡，这一变化导致内部光连接增加，光模块需要更快的传输速率和更高的覆盖率，从而推动中高端光芯片快速放量。

目前高端光芯片的国产化情况如何？

高端光芯片国产替代率仍较低。10G VCSEL/EML等芯片国产化率不足40%，25G以上光芯片的国产化率只有5%，目前仍以海外光芯片厂商为主，国产替代空间较为明显。