光芯片技术壁垒高、生产工艺复杂，行业投入极高而回报偏慢，高端品类的供应格局因此高度集中。在光通信产业链中，100G EML激光器芯片的议价能力整体偏向具备稳定量产能力的芯片厂商——25G以上光芯片国产化率只有5%，目前仍以海外光芯片厂商为主，供给端可选择的供应商有限，下游光模块厂商在高端料号上的替代空间小，价格传导更多取决于供需紧张程度，而非单纯的商务谈判。
供应格局：高端品类为何集中
光芯片是实现光转电、电转光、分路、衰减、合分波等基础光通信功能的核心，也是光器件与光模块的核心。有源芯片在光芯片市场规模中占比超过90%，而越往高速率走，工艺难度与投入门槛越高。
国产替代率呈现明显的分层特征：10G VCSEL/EML等芯片难度较大，国产化率不足40%；25G为20%；25G以上仅5%。这意味着100G EML所属的高端区间，供给主体仍以海外光芯片厂商为主，国内具备量产能力者数量有限，产业链议价能力自然向供给稀缺的一方倾斜。
价格传导：由供需紧张程度决定
价格传导的顺畅与否，取决于下游对交期与性能的刚性程度。当算力基础设施建设拉动光模块向更高速率演进时，高速率光芯片需求同步抬升，而产能爬坡需要时间，供需缺口会放大芯片端的议价空间；反之，当供给逐步释放，价格传导的压力会更多落在芯片厂商一侧。
从产业趋势看，AIGC等技术应用的背后是庞大的算力支撑，直接拉动光模块增量；数据中心的网络架构升级、传统三层架构向叶脊架构过渡，也要求光模块具备更快的传输速率和更高的覆盖率，中高端光芯片有望快速放量。需求扩张与供给集中叠加，是高端激光器芯片议价能力的核心支撑。
国内厂商的切入位置
国内光芯片领域上市企业包括源杰科技、博创科技、光迅科技等。其中源杰科技以IDM模式深耕光芯片产业，专注于激光器芯片研发生产，已建立覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。
从产品结构看，其主营包括2.5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列产品，应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域；在高速率方向，正研发布局应用于数据中心400G、800G高速光模块的100G EML激光器。客户方面，已实现向海信宽带、中际旭创、博创科技、铭普光磁等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货。具备量产能力的厂商一旦进入主流供应链，其在高端料号上的议价地位会相对稳固。
常见问题
100G EML激光器芯片的议价能力为什么偏强？
核心原因在于供给端集中。光芯片技术壁垒高、生产工艺复杂，投入极高而回报偏慢，能够稳定量产高端品类的厂商数量有限；25G以上光芯片国产化率只有5%，目前仍以海外光芯片厂商为主，下游可选供应商少，议价能力因此偏向芯片端。
价格传导主要受什么因素影响？
主要受供需紧张程度影响。算力基础设施建设推动光模块向更高速率演进，中高端光芯片需求随之抬升，而产能扩充需要周期，供需缺口会增强芯片端的价格传导能力；供给宽松时，传导压力则更多由芯片厂商承担。
国内厂商在100G EML方向的进展如何？
国内企业正加速布局高速率激光器芯片。以源杰科技为例，其正在研发布局应用于数据中心400G、800G高速光模块的100G EML激光器，相关产品性能的官方表述为处于国内领先、国际先进水平；具体量产进度与商用表现，建议以官方后续公布及第三方实测为准。