3D NAND堆叠推动薄膜沉积设备占资本开支比例从2D时代的18%升至26%，但国产化进程仍处于起步阶段——以长江存储采购数据为参照，CVD类设备国产化率仅约2-3%，溅射PVD是当前国产化率最高的细分领域。

薄膜沉积与刻蚀是半导体制造中互为反向的两大核心工序。芯片向3D结构演进后，堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩，薄膜沉积设备在3D NAND产线资本开支中的占比达26%，显著高于2D时代的18%。从细分品类看，PECVD占比最大（33%），溅射PVD占19%，而ALD虽仅占11%，却因其对先进制程和3D结构的适配能力，被视为“兵家必争之地”。

国产化进程：PVD领先，CVD与ALD差距明显

从头部存储产线的采购数据可以观察国产替代的真实进度。以长江存储历年薄膜设备中标情况为参照，北方华创在溅射PVD细分设备中的占比可达20%左右，是国产化率最高的领域；而CVD类设备的国产供应商主要为沈阳拓荆，整体占比仅约2-3%。两家国产厂商在长江存储的年度整体中标率（按机台数量计）多数年份在1%-4%区间波动。

其他产线的国产化水平略高。华虹无锡与华力集成的薄膜沉积设备国产化率总体在10%左右，其中华虹无锡2020年沈阳拓荆中标率达11%、北方华创为7%；华力集成2020年北方华创中标率达10%、沈阳拓荆为5%。整体来看，薄膜沉积设备的国产替代仍处于多点突破但整体渗透率偏低的阶段。

国产主力厂商布局

国产替代的主力是拓荆科技与北方华创两家，各有侧重：

维度拓荆科技北方华创
优势领域PECVD（国内唯一实现产业化的厂商）溅射PVD（产品覆盖90-14nm制程）
CVD布局PECVD、SACVDLPCVD、APCVD为主
ALD布局PEALD覆盖14nm及以下逻辑芯片技术节点覆盖至28nm

拓荆科技的产品工艺已覆盖180-14nm逻辑芯片及64/128层3D NAND，其PEALD设备在国内处于领先地位；北方华创则在PVD、CVD、ALD三大方向均有布局，PVD产品已覆盖90-14nm多个制程工艺。两家公司在ALD领域均有产品布局，但整体产业化尚处早期。

常见问题

为什么3D NAND对ALD设备需求更迫切？

3D NAND通过增加堆叠层数提升存储密度，层数越多，对薄膜厚度控制的精度要求越高。ALD技术通过原子层级的逐层沉积，能实现对材料厚度的精确控制，因此成为高堆叠层数3D NAND制造中的关键设备。拓荆科技已有面向128层以上3D NAND的ALD产品处于研发阶段。

国产薄膜沉积设备与国际巨头差距有多大？

全球薄膜沉积设备各细分赛道均由应用材料、东京电子、泛林半导体等国际巨头主导，其中应用材料在PVD领域份额达85%，东京电子在ALD领域占45%。国产厂商目前更多是在特定细分品类（如溅射PVD、PECVD）实现突破，整体份额与国际巨头仍有数量级差距。

长江存储的国产化数据能代表行业整体水平吗？

不能简单等同。长江存储作为先进存储产线，对设备要求较高，其国产化率相对偏低；而华虹无锡、华力集成等产线的国产化率可达10%左右。不同产线因制程节点、产品类型差异，国产设备导入进度并不一致，需结合具体产线情况综合判断。