拓荆科技在ALD设备上呈现明显的技术路线进度差：其PE-ALD产品FT-300T(PE)已实现产业化应用，而Thermal-ALD产品T-300T(Thermal)尚处于研发阶段。这一进度差反映了两条技术路线的客户验证壁垒与国产替代节奏存在显著差异，但并不会因此导致国产ALD竞争格局出现单一维度的分化——国产厂商中北方华创在ALD领域亦有布局，且国际厂商在Thermal-ALD方向更为成熟，国产替代仍处于多点突破的进程中。
PE-ALD与Thermal-ALD的产业化进度差异
拓荆科技的ALD产品布局清晰地体现了技术路线的分化。根据其招股说明书披露的产品矩阵：
| 产品类型 | 产品型号 | 覆盖制程/工艺 | 研发/生产阶段 |
|---|---|---|---|
| PE-ALD | FT-300T (PE) | 28-14nm SADP、STI Liner工艺，55-40nm BSI工艺 | 产业化应用 |
| Thermal-ALD | T-300T (Thermal) | 28nm以下，金属化合物薄膜材料 | 研发中 |
| ALD | FT-300H | 128层以上3D NAND、19/17nm DRAM | 研发中 |
从产品覆盖来看，拓荆的PE-ALD已覆盖28-14nm逻辑芯片的SADP（自对准双重成像）和STI Liner等关键工艺，以及55-40nm的BSI工艺，并进入产业化应用阶段。而Thermal-ALD产品T-300T(Thermal)面向28nm以下制程、沉积金属化合物薄膜材料，目前仍处于研发阶段。
在薄膜沉积设备市场中，ALD虽然占比仅11%，但因其能满足先进制程和3D结构需求，被视为“兵家必争之地”。ALD设备可细分为等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）和热处理原子层沉积（Thermal-ALD），两者在工艺特性和应用场景上各有侧重。
国产厂商的技术卡位与竞争格局
在国产ALD设备的竞争格局中，拓荆科技与北方华创形成了差异化的布局。拓荆科技的PE-ALD设备在国内处于领先地位，产品能够广泛应用于14nm及以下的逻辑芯片。而北方华创在ALD领域也有两个系列产品，技术节点覆盖到28nm，其Polaris PEALD和Polaris A-ALD产品可应用于28nm FinFET、double pattern及3D NAND等工艺。
从全球格局看，ALD细分赛道由国际巨头主导，东京电子在ALD领域占据较大份额，应用材料、泛林半导体亦有布局。在Thermal-ALD方向，国际厂商的成熟度相对更高，而国产厂商在此方向的产业化进度整体落后于PE-ALD。
技术路线分化背后的壁垒与节奏
PE-ALD与Thermal-ALD的产业化进度差异，本质上反映了两条技术路线的客户验证壁垒不同。PE-ALD在先进制程的SADP、STI Liner等介质薄膜工艺中需求明确，国内晶圆厂在推进国产替代时优先验证；而Thermal-ALD面向金属化合物薄膜，对薄膜纯度、均匀性要求更为苛刻，验证周期更长，且国际厂商在该领域积累更深。
从国产替代的整体节奏看，薄膜沉积设备的国产化率仍处于爬坡阶段。以长江存储的采购数据为例，沈阳拓荆在其中标薄膜设备中的占比在2018-2020年间约为1%-4%，北方华创约为1%-4%；华虹无锡的国产化率相对更高，2020年拓荆占比约11%、北方华创约7%。这些数据表明，国产ALD设备整体仍处于客户验证与份额提升的早期阶段。
常见问题
拓荆的PE-ALD和Thermal-ALD哪个先突破？
拓荆的PE-ALD产品FT-300T(PE)已实现产业化应用，覆盖28-14nm SADP、STI Liner及55-40nm BSI工艺；而Thermal-ALD产品T-300T(Thermal)仍处于研发阶段，面向28nm以下制程的金属化合物薄膜沉积。
国产厂商中谁在Thermal-ALD布局更早？
目前国产ALD设备厂商中，拓荆科技和北方华创均有布局。拓荆的Thermal-ALD型号T-300T(Thermal)处于研发阶段；北方华创的ALD产品线覆盖PE-ALD和A-ALD等方向，技术节点覆盖至28nm。两家的Thermal-ALD产业化进度均需以官方后续披露为准。
技术路线分化是否意味着国产ALD格局将重新洗牌？
技术路线的进度差更多反映的是客户验证节奏的差异，而非格局的确定性重塑。PE-ALD在介质薄膜工艺中需求明确、验证路径清晰，国产化推进较快；Thermal-ALD面向金属化合物薄膜，验证壁垒更高。两条路线并行推进，国产厂商整体仍处于份额爬坡阶段，最终格局取决于各厂商的验证进展与客户导入速度。