拓荆科技PE-ALD设备已实现国产产业化，其FT-300T(PE)机型在SADP、STI Liner及BSI工艺中进入产业化应用阶段，标志着国产ALD设备在介质薄膜领域取得实质性突破。但ALD设备国产替代远未完成，Thermal-ALD（热处理原子层沉积）仍是明显短板，上游核心部件与前驱体材料的自主化同样有待攻坚。
已攻克的环节：PE-ALD的产业化里程碑
拓荆科技FT-300T(PE)是国产PE-ALD设备实现产业化应用的代表机型，覆盖28-14nm逻辑芯片的SADP（自对准双重成像）和STI Liner工艺，以及55-40nm的BSI工艺，并可应用于2.5D、3D TSV先进封装。在SADP工艺中，ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一，因此该机型的产业化意义不仅在于设备本身，更在于为先进制程的关键环节提供了国产方案。
从市场格局看，ALD设备在全球范围内由东京电子、应用材料、泛林半导体主导，国产厂商在PE-ALD领域的突破属于从0到1的进展，但整体市场份额仍处于爬坡阶段。
尚未攻克的硬骨头：Thermal-ALD与上游供应链
Thermal-ALD仍是研发空白
与PE-ALD的产业化进展相比，Thermal-ALD的国产化进度明显滞后。拓荆科技的Thermal-ALD机型T-300T(Thermal)目前仍处于研发阶段，其目标应用是28nm以下逻辑芯片的金属化合物薄膜材料沉积。在14nm以下先进制程中，Thermal-ALD是国际巨头占据优势的领域，国产设备在这一细分赛道的差距仍然显著。
上游核心部件与材料自主化
ALD设备的国产替代不仅取决于设备整机，还受制于上游供应链。前驱体材料、射频电源、精密阀门等核心部件与材料的国产化率仍然偏低，这些环节直接制约着ALD设备的性能上限与供应链安全。设备厂商在整机层面的突破，仍需上游配套产业的协同推进。
国产替代的整体进度
从下游晶圆厂的中标数据看，国产薄膜沉积设备的整体渗透率仍处于较低水平。以长江存储的采购数据为例，拓荆科技与北方华创的中标机台数量占比均在个位数百分比区间；华虹无锡和华力集成的薄膜沉积设备国产化率相对更高，但总体仍在10%左右。ALD作为薄膜沉积中占比约11%的细分品类，国产设备的市场导入同样处于早期阶段。
常见问题
拓荆PE-ALD设备主要用在哪些工艺环节？
拓荆FT-300T(PE)主要覆盖28-14nm逻辑芯片的SADP和STI Liner工艺，以及55-40nm BSI工艺，同时适用于2.5D、3D TSV先进封装中的介质薄膜沉积。
国产ALD设备和国际巨头的主要差距在哪里？
主要差距集中在Thermal-ALD领域——国产设备尚处研发阶段，而国际厂商在14nm以下先进制程的Thermal-ALD领域已形成垄断地位。此外，前驱体、射频电源等上游核心部件的国产化率也仍有较大提升空间。
国产ALD设备目前的市场份额如何？
从主流晶圆厂的中标数据看，国产薄膜沉积设备整体占比仍较低。以长江存储为例，拓荆科技与北方华创的中标机台占比均在个位数百分比；华虹无锡、华力集成的国产化率相对更高，但总体仍在10%左右。