以拓荆科技PE-ALD设备实现产业化应用为标志，国产ALD设备在介质薄膜沉积这一环节已取得实质性突破，但距离全面国产替代仍有明显距离。当前已攻克的核心是PE-ALD在逻辑芯片先进制程中的产业化应用，而硬骨头主要集中在Thermal-ALD（热处理原子层沉积）、上游核心部件供应链以及更先进制程节点的工艺验证上。

已攻克的环节：PE-ALD的产业化里程碑

拓荆科技的PE-ALD设备（型号FT-300T (PE)）已实现产业化应用，这是国产ALD设备的一个重要里程碑。该设备面向12英寸晶圆，覆盖28-14nm的SADP、STI Liner工艺以及55-40nm的BSI工艺，并可用于2.5D、3D TSV先进封装，沉积介质材料薄膜。

这一进展的意义在于，ALD在FinFET等先进制程中决定了芯片的最终制程能力——例如在SADP工艺中，ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度。能够在这一关键环节实现产业化，说明国产设备已具备在先进逻辑芯片制造中参与核心工序的能力。

尚未攻克的硬骨头：Thermal-ALD与上游供应链

国产ALD替代的难点主要集中以下方面：

  • Thermal-ALD仍处研发阶段：与PE-ALD的产业化进度相比，拓荆科技的Thermal-ALD设备（T-300T (Thermal)）目前仍处于研发中阶段，其目标应用是28nm以下的金属化合物薄膜材料沉积。而金属薄膜的ALD工艺恰恰是先进制程中栅极、互联等环节的关键需求。
  • 先进存储与更小制程尚在推进：面向128层以上3D NAND和19/17nm DRAM的ALD设备（FT-300H）同样处于研发中阶段，尚未进入产业化应用。
  • 上游供应链自主可控：ALD设备的核心部件（如高精度前驱体输送系统、反应腔设计等）的自主化程度，是决定设备性能和稳定性的关键，目前仍需依赖产业链的持续协同攻关。

国产替代的整体进度

从行业格局看，ALD设备市场目前仍由国际巨头主导，东京电子、应用材料和泛林半导体占据了主要份额。国内厂商中，拓荆科技在PE-ALD领域具备较强竞争力，其产品能覆盖14nm及以下逻辑芯片；北方华创的ALD产品技术节点覆盖到28nm。

从下游采购数据看，国产薄膜沉积设备的整体国产化率仍处于较低水平。以长江存储的采购数据为例，其ALD设备采购中，国产厂商的中标占比仍是个位数百分比。这也说明，ALD设备的国产替代虽已起步，但规模化放量和全面覆盖仍需时日。

常见问题

拓荆科技的PE-ALD设备可以用在哪些工艺？

拓荆科技的PE-ALD设备（FT-300T (PE)）主要面向12英寸晶圆，应用于28-14nm的SADP、STI Liner工艺，以及55-40nm的BSI工艺，同时可用于2.5D、3D TSV先进封装，沉积介质材料薄膜。

国产Thermal-ALD设备进展如何？

拓荆科技的Thermal-ALD设备（T-300T (Thermal)）目前仍处于研发阶段，目标覆盖28nm以下的金属化合物薄膜材料沉积。相比PE-ALD的产业化应用，Thermal-ALD还需要更长的研发和验证周期。

ALD设备国产替代目前最大的挑战是什么？

主要挑战集中在三方面：一是Thermal-ALD等金属薄膜沉积工艺尚未实现产业化；二是面向128层以上3D NAND等先进存储的ALD设备仍在研发中；三是上游核心部件供应链的自主可控程度仍需提升。整体来看，国产ALD设备在介质薄膜领域已实现突破，但在金属薄膜和更先进制程节点上仍有明显差距。