ALD（原子层沉积）设备的下游增量需求主要集中在先进逻辑制程的SADP工艺、存储芯片的3D堆叠结构、图像传感器的BSI工艺以及先进封装等领域。 以拓荆科技FT-300T(PE)为代表的国产PE-ALD设备已实现28-14nm SADP、STI Liner及55-40nm BSI工艺的产业化应用，而存储芯片向3D NAND堆叠层数增加和DRAM制程微缩演进，正持续打开ALD设备的成长空间。
已覆盖场景：从逻辑到图像传感器
ALD设备凭借原子层级的厚度控制能力，已成为先进制程和3D结构制造中的关键设备。在逻辑芯片领域，28nm以下先进制程普遍采用FinFET结构，其Fin宽度远小于光刻极限，需要通过SADP（自对准双重成像）工艺实现。在这一工艺中，ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。
拓荆科技FT-300T(PE)型号的PE-ALD设备已实现产业化应用，覆盖28-14nm逻辑芯片的SADP、STI Liner工艺，以及55-40nm图像传感器的BSI工艺。此外，该设备还适用于2.5D、3D TSV先进封装场景。这意味着ALD设备在逻辑芯片隔离结构、图像传感器背照式工艺等环节已形成稳定的需求基本盘。
增量空间：存储堆叠与先进封装
存储芯片是ALD设备增量需求的重要来源。随着3D NAND闪存堆叠层数持续增加，薄膜沉积工序与堆叠层数直接挂钩，ALD在存储芯片制造中的使用比例明显提升。拓荆科技面向128层以上3D NAND FLASH及19/17nm DRAM的ALD设备（FT-300H）正处于研发阶段，反映出存储制程升级对ALD设备提出的更高要求。
从市场结构看，ALD在半导体薄膜沉积设备细分品类中占比约11%，虽然当前份额不及PECVD（33%），但被业内视为“兵家必争之地”。此外，芯片向3D化方向发展后，薄膜沉积设备在产线资本开支中的占比从2D时代的18%提升至3D时代的26%，而ALD作为其中技术门槛较高的品类，有望持续受益于这一结构性变化。
未来方向：Thermal-ALD的金属栅极潜力
在技术演进方向上，Thermal-ALD（热处理原子层沉积）被视作ALD设备的重要增量领域。该技术主要面向金属化合物薄膜材料，在金属栅极、电容介质等场景具有应用潜力。拓荆科技T-300T(Thermal)型号的Thermal-ALD设备正针对28nm以下制程进行研发，目前尚处于研发阶段。
总体来看，ALD设备的下游需求正从逻辑芯片的SADP工艺，向存储芯片3D堆叠、图像传感器BSI、先进封装以及未来金属栅极等更广泛的场景延伸，需求结构日趋多元化。
常见问题
ALD设备在先进制程中为什么如此重要？
在28nm以下的FinFET工艺中，Fin的宽度需要通过SADP工艺中的ALD沉积层来控制，ALD所沉积的Spacer材料宽度直接决定了最终的Fin宽度。如果缺少ALD这一步，后续的整个流程都无法进行，因此ALD是制约逻辑芯片先进程度的核心环节之一。
存储芯片对ALD设备的需求主要体现在哪里？
存储芯片的需求主要来自3D NAND闪存的堆叠层数增加，以及DRAM制程的微缩。芯片向3D化方向发展后，薄膜沉积工序与堆叠层数直接挂钩，产线中薄膜沉积设备的资本开支占比从2D时代的18%提升至3D时代的26%，其中ALD设备在3D NAND的128层以上制程中已成为必要配置。
Thermal-ALD与PE-ALD的应用场景有何不同？
PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）主要面向介质材料薄膜，已广泛应用于SADP、STI Liner和BSI工艺；而Thermal-ALD主要面向金属化合物薄膜材料，在金属栅极、电容介质等场景具有应用潜力，目前国内相关产品尚处于研发阶段，未来有望成为ALD设备的下一个增长点。