ALD设备在薄膜沉积市场中占比约11%，却是先进制程绕不开的“兵家必争之地”，其产业链价值分配的核心特点是：上游设备商掌握定价权，中游晶圆厂为先进制程支付高溢价，而国产厂商在ALD细分赛道的产业化尚处早期，价值获取能力有限。
ALD为何“小而关键”
ALD（原子层沉积）在薄膜沉积设备各细分品类中占比约11%，但技术价值远超份额数字。在28nm以下的先进制程中，FinFET结构的Fin宽度由ALD沉积的Spacer材料决定，ALD成为制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。此外，ALD在金属栅、BSI工艺、CMOS器件、存储芯片和TSV封装中都有大量应用，是先进制程和3D结构不可或缺的环节。
产业链价值分配特点
ALD产业链的价值分配呈现明显的“上游集中”特征。在ALD细分赛道，东京电子占据约45%份额，应用材料约29%，泛林半导体约26%，三家国际巨头形成高度垄断。上游设备商凭借技术壁垒掌握定价权，中游晶圆厂为获取先进制程能力需支付高溢价。相比之下，薄膜沉积市场整体格局相对分散，占比最大的PECVD份额也仅为33%，厂商更多依靠对薄膜材料覆盖的广度和深度取胜。
国产厂商的价值获取现状
国产厂商在ALD领域的布局已取得技术突破，但产业化尚处早期。以拓荆科技为例，其PEALD设备已实现产业化应用，可覆盖14nm及以下的逻辑芯片制程；北方华创的ALD产品技术节点覆盖至28nm。但从销量看，拓荆科技的ALD产品历年累计销量极少，与PECVD主力产品的销售规模差距明显。这表明国产ALD设备虽已具备技术能力，但在市场验证和规模化应用层面仍处于起步阶段，短期内对产业链价值分配的影响力有限。
常见问题
ALD设备为什么比PECVD更受重视？
ALD虽然占比仅11%，远低于PECVD的33%，但其能够实现原子层级别的厚度控制，是先进制程FinFET结构、3D NAND等前沿工艺的必经环节。PECVD解决的是规模化沉积需求，ALD解决的则是先进制程的精度问题，战略价值不同。
国产ALD设备目前处于什么阶段？
国产厂商已实现技术突破，拓荆科技的PEALD设备可应用于14nm及以下逻辑芯片，北方华创的ALD产品覆盖至28nm节点。但ALD产品的实际销量极少，产业化仍处早期，从技术验证到规模化商用仍需时间。