在22nm制程中，ALD（原子层沉积）沉积的氧化硅硬掩膜版厚度直接决定了Fin的宽度（14.67nm），是SADP（自对准双重成像）工艺的核心环节。全球ALD设备市场由东京电子、应用材料、泛林半导体等国际巨头主导，中国ALD玩家如拓荆科技、北方华创虽已实现部分产品产业化，但在最先进制程的市占率和技术覆盖度上仍处于追赶阶段，国产化率整体较低。
ALD：先进制程的“兵家必争之地”
在22nm及以下的FinFET结构中，Fin的宽度远小于光刻机所能制造的最小尺寸，必须通过SADP工艺实现。该工艺中，ALD沉积的氧化硅硬掩膜版厚度精确控制Fin宽度，因此ALD设备的精度直接决定了芯片制程的先进程度。ALD技术凭借原子层级别的厚度控制能力，在逻辑芯片、3D NAND存储等先进领域应用广泛，虽然其在整个薄膜沉积设备市场中占比约11%，但被视为“兵家必争之地”。
全球竞争格局：国际巨头主导
全球ALD设备市场高度集中，主要供应商包括：
- 东京电子：市占率约45%，技术领先。
- 应用材料：市占率约29%。
- 泛林半导体：市占率约26%。
这些巨头在技术积累、产品线覆盖和客户认证方面拥有显著优势，主导了先进制程的ALD设备供应。
中国ALD玩家：拓荆科技与北方华创的追赶路径
中国ALD设备厂商以拓荆科技和北方华创为代表，两者在ALD领域均有布局，但技术节点和产业化阶段存在差异：
- 拓荆科技：其PEALD设备（FT-300T）已实现产业化应用，覆盖28-14nm逻辑芯片的SADP工艺，技术节点相对领先。
- 北方华创：ALD产品（Polaris系列）技术节点覆盖至28nm，主要应用于FinFET、3D NAND等工艺。
从国产化率看，根据长江存储、华虹无锡等产线的中标数据，国产薄膜沉积设备整体国产化率约在10%左右，ALD设备作为其中的细分品类，国产渗透率更低。在先进制程受限的背景下，国内厂商的突破方向集中在加速产品验证（如拓荆科技PEALD在14nm产线的产业化验证）和扩展材料覆盖（如氧化硅、氮化硅等介质薄膜的兼容性），以逐步缩小与国际巨头的差距。
常见问题
拓荆科技的ALD设备能用于多少纳米制程？
拓荆科技的PEALD设备（FT-300T）已实现产业化应用，覆盖28-14nm逻辑芯片的SADP工艺，同时也在研发适用于128层以上3D NAND的ALD设备。
北方华创的ALD设备主要覆盖哪些制程？
北方华创的ALD产品（Polaris系列）技术节点覆盖至28nm，主要应用于28nm FinFET、double pattern及3D NAND工艺。
中国ALD设备的国产化率大概是多少？
根据产线中标数据，国内薄膜沉积设备的整体国产化率约在10%左右，ALD作为细分品类，国产渗透率更低，但具体数值会因产线和年份有所差异。