ALD在SADP工艺中决定Fin宽度，半导体设备市场增长驱动力在哪？

"ALD在SADP工艺中沉积Spacer材料决定Fin宽度，同时广泛应用于金属栅、BSI等工艺，可用于制造CMOS器件、存储芯片和TSV封装等。在3D NAND中，ALD还用于高深宽比结构的介质薄膜沉积。"

"国产厂商中，拓荆科技的PEALD设备已覆盖14nm及以下逻辑芯片的SADP、STI Liner等工艺，处于产业化应用阶段；北方华创的ALD产品技术节点覆盖至28nm FinFET及3D NAND应用。"

"各细分赛道目前主要由应用材料、东京电子、泛林半导体等国际巨头主导，其中ALD领域东京电子占比约45%、应用材料约29%、泛林半导体约26%。国产替代正在推进，但整体份额仍较低。"

ALD在SADP工艺中通过沉积Spacer材料直接决定Fin宽度，是先进制程绕不开的核心环节；而半导体设备市场的增长驱动力，正来自先进制程工序量增加与存储芯片3D化两大趋势，其中ALD设备占比提升是最确定的增量方向之一。

为什么ALD能决定Fin宽度

在28nm以下的FinFET制程中，Fin的宽度远小于光刻机所能制造的最小尺寸，必须借助自对准双重成像技术（SADP）来完成。在SADP工艺中，先用ALD沉积一层氧化硅作为硬掩膜版，通过控制这层氧化硅的厚度，就能最终控制Fin的宽度——ALD由此成为制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。

ALD的独特之处在于原子层级的厚度控制能力：通过交替引入反应物并循环生长，可以实现对材料厚度的原子级精确把控。这正是先进制程和3D结构对薄膜沉积的核心要求。

驱动力一：制程进步带来工序量激增。 从90nm CMOS工艺的40道薄膜沉积工序，到3nm FinFET工艺产线的100道工序，制程越先进，薄膜沉积设备需求量越大。

驱动力二：3D化趋势提升设备占比。 芯片向3D方向发展后，堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩。以NAND Flash产线资本开支为例，薄膜沉积设备占比从2D架构的18%提升至3D架构的26%，而光刻设备占比则从38%降至18%。

在这两大驱动下，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元增长至172亿美元，复合增长率约11%。

ALD目前占比虽仅11%，但被业内视为“兵家必争之地”——它是先进制程和3D结构中需求增长最快的细分方向。

ALD在SADP工艺中沉积Spacer材料决定Fin宽度，同时广泛应用于金属栅、BSI等工艺，可用于制造CMOS器件、存储芯片和TSV封装等。在3D NAND中，ALD还用于高深宽比结构的介质薄膜沉积。

国产厂商中，拓荆科技的PEALD设备已覆盖14nm及以下逻辑芯片的SADP、STI Liner等工艺，处于产业化应用阶段；北方华创的ALD产品技术节点覆盖至28nm FinFET及3D NAND应用。

各细分赛道目前主要由应用材料、东京电子、泛林半导体等国际巨头主导，其中ALD领域东京电子占比约45%、应用材料约29%、泛林半导体约26%。国产替代正在推进，但整体份额仍较低。