半导体设备厂商中，谁在原子层刻蚀这一新兴方向的布局值得关注？

在半导体设备厂商中，原子层刻蚀（ALE）作为一项可实现精准刻蚀的前沿技术，目前仍处于应用初期，包括国际设备巨头在内的所有厂商都尚未形成大规模量产格局，因此该方向的竞争格局仍存在较大变数，值得关注的是具备深厚等离子体刻蚀技术积累、并具备向ALE延伸能力的头部厂商。

原子层刻蚀：等离子体刻蚀的下一代补充

原子层刻蚀（ALE）是一种可实现精准刻蚀的新兴技术，其核心价值在于能够解决传统等离子体刻蚀存在的局限性——例如对下层材料造成损伤等问题。不过需要明确的是，ALE目前仍处于应用初期，在很长一段时间内都无法取代主流的等离子体刻蚀技术，更多是作为未来制程微缩过程中的重要技术储备方向。

从技术演进路径来看，当前主流的干法刻蚀主要分为两大类：电感性等离子体刻蚀（ICP）和电容性等离子体刻蚀（CCP）。其中ICP适用于硅刻蚀，对精确度要求高；CCP适用于氧化硅、氮化硅等硬度较高的介质材料刻蚀。ALE正是在这些成熟技术基础上，面向更精密制程需求而发展的前沿方向。

在全球刻蚀设备市场中，泛林半导体（拉姆研究）、东京电子和应用材料三家合计占据约九成市场份额，其中泛林半导体在全球市场的占比接近一半，是绝对龙头。国内厂商中，中微公司和北方华创是刻蚀设备的主力军，在大陆市场的份额分别约为20%和6%。

从ALE这一新兴方向的技术储备来看，由于该技术建立在等离子体刻蚀的深厚积累之上，具备先进制程量产能力的头部厂商最有可能率先实现ALE的产品化突破：

中微公司：在CCP领域覆盖了从65nm到5nm的先进制程，并进入台积电供应链，同时已成功切入ICP赛道，其双反应台技术等独创设计体现了较强的工艺创新能力，为ALE技术研发提供了坚实基础。
北方华创：作为国内设备品类最全的平台型龙头，在ICP硅刻蚀和金属刻蚀领域深耕多年，核心设备制程达28nm，14nm工艺处于验证阶段，产品已大规模进入国内晶圆厂。
泛林半导体等国际巨头：作为全球刻蚀设备的主导者，在ALE这类前沿方向的研发投入和技术储备上具备先发优势。

不能。ALE目前仍处于应用初期，在很长一段时间内都无法取代等离子体刻蚀，更多是作为面向未来更精密制程的技术储备方向。

中微公司在CCP领域已覆盖5nm制程并进入台积电供应链，ICP设备达到28nm制程；北方华创的ICP核心设备制程达28nm，14nm工艺处于验证阶段。两家公司在大陆刻蚀设备市场的份额合计约26%。

由于ALE尚处应用初期，尚未有厂商实现大规模量产，最终谁能率先突破应用瓶颈，取决于各厂商在等离子体刻蚀领域的技术积累、研发投入以及产品化能力，目前下结论为时尚早。