从追平拉姆研究到进入台积电，中微公司的CCP刻蚀设备经历了从65nm起步、逐步覆盖至5nm先进制程的关键拐点，其产品已成功进入台积电7nm和5nm产线，成为唯一一家进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商，且部分产品效果已追平拉姆研究。
从65nm到5nm：三代CCP设备的技术跃迁
中微公司自2004年成立起便专注于电容性等离子体刻蚀设备（CCP）的研发，先后推出三代产品，制程从65nm一路提升至5nm，覆盖约七成的介质刻蚀应用。首台CCP设备Primo D-RIE于2007年推出，采用独创的双反应台技术，可同时在一个真空腔中刻蚀两块晶圆，在保证结果均匀的同时为客户节省约35%的原材料。随后，2011年推出的Primo AD-RIE将制程推进至45-7nm，2017年的增强型AD-RIE-e进一步将制程延伸至7nm以下。
进入台积电供应链与追平拉姆研究
中微CCP设备的关键突破在于成功进入台积电7nm和5nm产线，这是国产刻蚀设备首次获得国际顶级晶圆厂的认可。根据官方资料，中微公司的CCP设备在部分效果上已追平拉姆研究，后者是全球刻蚀设备的龙头企业。同时，中微CCP产品在65nm至5nm的多个制程节点均已实现量产，覆盖了逻辑芯片制造中的介质刻蚀需求。
常见问题
中微公司的CCP设备目前能支持哪些制程？
中微CCP设备已覆盖从65nm到5nm的多个制程节点，其中7nm和5nm已实现量产，并进入台积电产线。更先进的3nm工艺则处于研发阶段。
中微公司的CCP设备与拉姆研究相比处于什么水平？
根据官方资料，中微公司部分CCP产品的效果已经追平拉姆研究，并且是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。在技术水平上，中微的CCP设备在65nm至5nm制程均实现量产，与拉姆研究处于同一量产梯队。
中微公司在CCP领域还有哪些短板？
中微在CCP设备上的主要欠缺集中在大马士革刻蚀和高深宽比刻蚀两个领域，这两块目前仍由国外设备公司垄断。不过，大马士革刻蚀产品的开发工作已接近完成，初步Demo结果良好；高深宽比刻蚀也已实现技术突破，产品开发顺利。