中微公司的 CCP 刻蚀设备已进入台积电 7nm 和 5nm 产线，这是全球顶级代工厂首次大规模采用国产刻蚀设备。这一突破不仅验证了国产设备在先进制程上的技术实力，更直接驱动了国产半导体设备在国内市场的份额提升，为市场规模的加速扩大提供了关键动力。
国产设备获得全球顶级客户背书
中微公司的 CCP 刻蚀设备是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。其产品覆盖从 65nm 到 5nm 的制程工艺，并独创双反应台技术，可同时加工两片晶圆，为客户节省约 35% 的原材料。这种来自国际一流晶圆厂的认可，显著提升了国产设备在全球产业链中的信誉度，降低了其他晶圆厂对国产设备的技术顾虑，有助于加速国产设备在国内市场的渗透率提升。
刻蚀需求增长与国产替代空间
随着制程升级和芯片结构向 3D 化发展，晶圆厂对刻蚀设备的需求快速增加。以刻蚀次数为例，7nm 工艺需要约 140 次刻蚀，5nm 工艺更是达到 160 次，远高于成熟制程。在 3D NAND 制造中，刻蚀设备的价值占比从 2D NAND 的 15% 提升至 50%。目前，中微公司在国内刻蚀设备市场的份额约为 20%，北方华创约为 6%，而泛林半导体仍占据 52% 的份额，国产替代仍有较大提升空间。
常见问题
中微公司的 CCP 设备主要应用于哪些场景？
中微公司的 CCP 设备主要用于介质刻蚀，覆盖氧化硅和氮化硅等硬度较高的材料，应用于逻辑芯片前段工艺的栅侧墙、硬掩膜刻蚀，以及 3D NAND 中的深斜孔槽等场景。其产品已实现从 65nm 到 5nm 的量产。
除了台积电，中微公司还有哪些客户？
除了台积电，中微公司的刻蚀设备在其他台湾晶圆厂和大陆晶圆厂的公开中标中，也占据了较高比例。在大陆市场，中微公司是仅次于泛林半导体的第二大刻蚀设备供应商，市场份额约 20%。
国产刻蚀设备未来的增长驱动力是什么？
增长驱动力主要来自两方面：一是先进制程对刻蚀设备数量和质量的需求持续提升，尤其是 5nm 及以下工艺和 3D NAND 的层数增加；二是国产设备在 CCP 和 ICP 领域的持续突破，中微公司已成功切入 ICP 赛道，其 ICP 设备制程达到 28nm，未来有望进一步扩大市场份额。