中微公司CCP刻蚀技术近期取得重要突破，标志着国产半导体设备在关键刻蚀环节的自主可控进程迈出关键一步。中微公司作为国产刻蚀设备龙头，其CCP（电容性等离子体刻蚀）设备已覆盖65nm至5nm的先进制程，并成功进入台积电7nm和5nm产线，是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。此次技术突破聚焦于高深宽比刻蚀，该领域此前由国外设备厂商垄断，中微公司已完成技术突破且产品开发顺利，预计一年左右进入市场，将有效填补国产CCP设备在高端存储和逻辑芯片刻蚀领域的空白，加速对进口设备的替代，提升国内晶圆厂供应链的自主可控水平。
国产半导体设备在国产替代中的整体角色
在半导体设备国产替代进程中，刻蚀设备是进展最快的环节之一。根据SEMI数据，中微公司和北方华创在中国大陆刻蚀设备市场的份额分别达到20%和6%。在刻蚀领域，干法刻蚀（包括CCP和ICP）是主流技术，其中CCP主要用于介质材料刻蚀，ICP主要用于硅刻蚀。中微公司在CCP领域深耕多年，产品已覆盖7成左右的介质刻蚀应用，并独创双反应台技术，可在保证刻蚀均匀性的同时为客户节省约35%的原材料。北方华创则在ICP领域积累深厚，其ICP设备制程达到28nm，更先进的14nm工艺处于验证阶段。
中微公司CCP技术突破的意义
中微公司CCP设备此前在逻辑芯片的大马士革刻蚀和3D存储芯片的高深宽比刻蚀两个领域存在短板，这两块市场长期由拉姆研究、东京电子等海外厂商垄断。据官方资料，中微公司的大马士革刻蚀产品开发工作已接近完成，初步Demo结果良好，很快能进入市场；高深宽比刻蚀技术已完成技术突破，产品开发顺利，预计一年左右进入市场。届时，中微公司的CCP产品版图将趋于完整，覆盖从逻辑到存储的关键刻蚀环节，进一步降低下游晶圆厂对进口设备的依赖。
常见问题
中微公司的CCP设备与北方华创的ICP设备有何不同？
CCP和ICP是两种不同的等离子体刻蚀技术。CCP（电容性等离子体刻蚀）适用于介质材料（如氧化硅、氮化硅）的刻蚀，需要高离子能量，中微公司是其主要国产供应商；ICP（电感性等离子体刻蚀）适用于硅材料刻蚀，对精确度要求更高，北方华创在该领域积累深厚。两者在应用场景上互补，中微公司近年也已切入ICP领域。
中微公司的CCP设备达到了什么制程水平？
中微公司的CCP设备已覆盖从65nm到5nm的先进制程，其中7nm和5nm工艺均已实现量产，并成功进入台积电7nm和5nm产线。此外，公司也在研发用于3nm制程的CCP产品。
国产刻蚀设备厂商在中国市场的份额如何？
根据SEMI数据，2020年在中国大陆刻蚀设备市场，泛林半导体（拉姆研究）占52%，中微公司占20%，东京电子占9%，北方华创占6%，应用材料占5%。中微公司是国产CCP刻蚀设备的领军企业，北方华创则在ICP领域占据重要地位。