中微公司CCP刻蚀技术的完善，使其在半导体设备下游应用中的版图更加完整。半导体设备的下游应用场景主要涵盖逻辑芯片先进制程和3D NAND存储芯片制造，需求结构随工艺演进而呈现显著变化。在逻辑芯片领域，随着制程从65nm向5nm演进，刻蚀次数从20次大幅增加至160次，驱动刻蚀设备需求持续增长；在3D NAND领域，存储芯片层数增加带来了对高深宽比刻蚀的旺盛需求。中微公司作为国内CCP刻蚀设备的领军企业，其产品已覆盖7nm和5nm先进逻辑工艺，并成功进入台积电供应链。随着公司在大马士革刻蚀和高深宽比刻蚀两大技术短板上的突破，预计一年左右相关产品将进入市场，进一步完善其CCP产品版图，从而在3D NAND和先进逻辑领域打开更广阔的市场空间。
下游需求结构：逻辑芯片与3D NAND驱动
半导体设备下游需求结构主要由逻辑芯片和3D NAND两大领域驱动，DRAM也是重要组成部分。在逻辑芯片领域，随着制程从65nm演进至5nm，刻蚀次数从20次大幅增加至160次，直接推动了刻蚀设备的价值量提升。在3D NAND领域，芯片从2D向3D结构发展，层数增加带来了对高深宽比刻蚀的旺盛需求，刻蚀设备在3D NAND制造中的价值占比从2D NAND的15%提升至50%。
中微公司CCP版图完善，打开市场空间
中微公司的传统优势在于CCP刻蚀设备，其产品已覆盖从65nm到5nm的先进制程，并成功进入台积电7nm和5nm产线。此前公司在CCP领域存在两大短板：用于逻辑芯片的大马士革刻蚀和用于3D存储芯片的高深宽比刻蚀，这两块市场主要由国外设备公司垄断。据官方资料，中微公司在大马士革刻蚀产品上的开发工作已接近完成，初步Demo结果良好；高深宽比刻蚀技术已完成突破，产品开发顺利，预计一年左右可进入市场。届时，中微公司的CCP产品版图将趋于完整，有望在3D NAND和先进逻辑领域进一步拓展市场份额。
常见问题
中微公司CCP刻蚀设备主要应用于哪些领域？
中微公司CCP刻蚀设备主要应用于介质刻蚀，覆盖逻辑芯片制造中的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、接触孔刻蚀，以及NAND闪存中的深斜孔槽刻蚀。其产品已进入台积电7nm和5nm产线，是目前唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。
中微公司CCP技术突破后，在3D NAND领域有何优势？
中微公司已完成高深宽比刻蚀技术的突破，该技术对3D NAND制造至关重要。随着存储芯片层数增加，高深宽比刻蚀需求旺盛，中微公司相关产品预计一年左右进入市场，有助于打破国外垄断，提升在3D NAND领域的竞争力。
中微公司在大陆刻蚀设备市场的地位如何？
根据SEMI数据，2020年中微公司在大陆刻蚀设备市场份额约为20%，仅次于泛林半导体的52%，是国内CCP刻蚀设备的龙头企业。其产品已覆盖最先进的5nm工艺，并进入多家国际一流晶圆厂供应链。