在电容性等离子体（CCP）刻蚀领域，中微公司的CCP设备已覆盖65纳米至5纳米工艺，但逻辑芯片的大马士革刻蚀与3D存储的高深宽比刻蚀此前由国外设备公司垄断，是其CCP版图中尚待补齐的两块。目前大马士革刻蚀产品开发工作已接近完成，初步Demo结果非常好，很快能进入市场；高深宽比刻蚀技术难度更大，但已完成技术突破、产品开发顺利，估计再过一年左右进入市场。 届时其CCP版图将趋于完整，国产替代也将从“技术突破”迈入“批量供货”的关键验证期。

两块短板：为何这两类刻蚀最难

从刻蚀对象看，介质材料氧化硅、氮化硅硬度高，需要高离子能量，一般使用CCP设备，这正是中微公司的传统强项。其CCP产品已先后发布三代，制程工艺从65纳米一路提升到5纳米，覆盖约七成介质刻蚀应用，并独创双反应台技术，可在一个真空腔中同时刻蚀两块晶圆，在保证结果均匀一致的同时为客户节省约35%的原材料。

但CCP在极高离子能量下对高深宽比结构的刻蚀能力，本身即是该技术路线公认的挑战。用于逻辑芯片的大马士革刻蚀和用于3D存储芯片的高深宽比刻蚀，正是两块尚未攻克的应用高地，此前均由国外设备公司垄断。

从突破到供货：还差哪几步

技术突破与批量供货之间，通常还需经历产品定型、客户验证与重复订单等环节。中微公司在ICP赛道上的路径可供参照：单台机自2020年开始获得客户重复订单，随后双台机进入市场，市场反应不错。这一“验证—重复订单—放量”的节奏，同样适用于CCP新产品的落地观察。

常见问题

中微公司的大马士革刻蚀设备进展如何？

据官方介绍，该产品开发工作已接近完成，初步Demo结果非常好，很快就能进入市场。这意味着国产CCP设备有望补上逻辑芯片大马士革刻蚀这一空白。

高深宽比刻蚀设备预计何时进入市场？

高深宽比刻蚀技术难度更大，但中微公司已完成技术突破，产品开发顺利，估计再过一年左右也能进入市场。届时其CCP版图将趋于完整。

国产刻蚀设备的整体替代进展处于什么阶段？

按照SEMI估算，中微公司和北方华创在大陆刻蚀设备市场的份额分别达到20%和6%，已取得不错进展。随着两块CCP短板补齐，国产替代有望进入从技术突破到批量供货的关键窗口。