在全球刻蚀设备格局中，拉姆研究、东京电子、应用材料三家合计占据约九成份额，中国半导体设备整体仍处于追赶阶段；但在大马士革刻蚀与高深宽比刻蚀这两个CCP关键方向上，中微公司已分别走到“开发接近完成、Demo结果非常好”与“完成技术突破、产品开发顺利”的阶段，是目前国产刻蚀设备中最接近补齐这两块短板的力量。
全球格局：高度集中，龙头地位稳固
刻蚀设备市场集中度极高。按2020年全球干法刻蚀设备份额，泛林半导体（拉姆研究）占46.71%，东京电子占25.57%，应用材料占16.96%，三家合计约90%；中微公司为1.37%。在大陆市场，泛林半导体份额约52%，中微公司约20%，北方华创约6%。全球龙头在两类设备上同时具备份额与技术代际优势，国产厂商目前是在局部环节实现切入，而非整体并跑。
大马士革与高深宽比：国产化的两块关键短板
CCP设备的挑战集中在极高离子能量下对高深宽比结构的刻蚀能力，以及新型刻蚀气体研发；主要厂商为拉姆研究、东京电子与中微公司。中微公司的CCP产品已覆盖65nm至5nm制程，并进入台积电供应链，但在两类应用上仍有欠缺：用于逻辑芯片的大马士革刻蚀，和用于3D存储芯片的高深宽比刻蚀，目前均由国外设备公司垄断。
从进展看，大马士革刻蚀产品开发工作已接近完成，初步Demo结果非常好，很快能进入市场；高深宽比刻蚀技术难度更大，但已完成技术突破、产品开发顺利，预计再过一年左右进入市场。届时其CCP版图将趋于完整。这意味着中国设备在这两个细分方向上正从“跟跑”向“并跑”靠近，但距离规模替代仍有时间差。
| 方向 | 当前状态 | 主要垄断方 | 国产进展 |
|---|---|---|---|
| 大马士革刻蚀 | 由国外设备公司垄断 | 国外设备公司 | 开发接近完成，Demo结果良好 |
| 高深宽比刻蚀 | 由国外设备公司垄断 | 国外设备公司 | 完成技术突破，开发顺利 |
常见问题
中微公司在大马士革刻蚀上进展如何？
其大马士革刻蚀产品开发工作已接近完成，初步Demo结果非常好，很快就能进入市场。这一方向此前由国外设备公司垄断，属于其CCP设备的两块主要欠缺之一。
高深宽比刻蚀的国产化还要多久？
高深宽比刻蚀技术难度更大，但中微公司已完成技术突破，产品开发顺利，预计再过一年左右进入市场。该方向主要用于3D存储芯片，目前同样由国外设备公司垄断。
中国刻蚀设备在全球处于什么位置？
从份额看，中微公司全球占比约1.37%、大陆约20%，北方华创大陆约6%，而全球前三合计约90%。整体仍处追赶阶段，但在CCP的部分先进制程与关键应用上，国产设备正逐步缩小差距。