中微公司的ICP刻蚀设备已从28nm制程起步，并在向5nm及更先进节点研发推进，国产刻蚀设备在介质刻蚀（CCP）领域已进入台积电5nm产线，在硅刻蚀（ICP）领域则处于28nm量产、先进制程验证与研发阶段，整体自主可控程度在介质刻蚀上较高，在ICP领域与国际龙头仍存在差距，但追赶势头明显。
中微ICP设备：从28nm到5nm的演进
中微公司于2012年开始研发ICP（电感性等离子体刻蚀）设备，其单台机Nanova经过产线验证后，从2020年起获得客户重复订单。近期推出的双台机Twin-Star也已进入市场，主打高输出、低成本特点。在制程覆盖上，中微ICP设备已达到28nm节点，同时正在积极研发用于5nm逻辑芯片及1Xnm内存芯片等领先工艺的下一代产品。
国产刻蚀设备自主可控全貌
国产刻蚀领域由中微公司和北方华创两大主力厂商主导。在CCP（电容性等离子体刻蚀）领域，中微公司优势显著，其设备已覆盖65nm至5nm全制程，并成功进入台积电7nm和5nm产线，是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。在ICP领域，中微与北方华创均实现28nm量产，但14nm/7nm节点仍处于验证阶段，5nm/3nm节点处于研发中。据SEMI数据，2020年大陆刻蚀设备市场中，中微公司份额约20%，北方华创约6%，而泛林半导体仍以52%居首。
常见问题
中微公司的ICP设备与北方华创的ICP设备相比，技术差距大吗？
两者在28nm节点均已实现量产，技术水平基本相当。在更先进的14nm/7nm节点，两家均处于验证阶段；5nm/3nm节点，中微处于研发中，北方华创暂无明确进展信息。
国产刻蚀设备目前哪些领域已实现自主可控？
在介质刻蚀（CCP）领域，中微公司已实现65nm至5nm全制程量产，自主可控程度较高。在硅刻蚀（ICP）领域，28nm已量产，但先进制程仍依赖国际厂商。
中微公司的ICP设备未来主要增长点在哪里？
下一代ICP产品瞄准5nm逻辑芯片及1Xnm内存芯片等领先工艺，有望成为公司主要业绩增长点。