中微公司（中微公司）的ICP刻蚀设备已实现28nm制程量产，并正在研发面向5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片的下一代产品。其下游应用场景覆盖逻辑芯片、DRAM内存芯片和3D NAND闪存芯片等主要芯片类型，满足不同芯片制造中对硅刻蚀和部分介质刻蚀的差异化需求。
ICP设备的技术定位与制程覆盖
中微公司的ICP设备（电感性等离子体刻蚀）主要应用于硅刻蚀工艺，直接决定芯片的底层电路结构。其单台机Nanova经过产线验证后，从2020年起获得客户重复订单。在制程节点上，中微ICP设备已达到28nm量产水平，与北方华创处于同一梯队。同时，公司正在积极研发下一代ICP产品，目标覆盖5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片等先进工艺。
下游应用场景：逻辑芯片
在逻辑芯片制造中，ICP设备用于浅沟槽隔离、多晶硅栅、金属栅、应变硅、金属导线等关键工艺步骤。随着制程从28nm向5nm演进，刻蚀次数大幅增加——例如5nm工艺节点需要约160次刻蚀，对ICP设备的精度和均匀度要求极高。中微的ICP设备正在为这一需求进行技术储备。
下游应用场景：存储芯片
在存储芯片领域，ICP设备主要服务于DRAM和3D NAND闪存。对于DRAM内存芯片，中微正在研发适用于1Xnm节点的ICP设备；而在3D NAND领域，随着堆叠层数增加，刻蚀设备在晶圆厂设备投资中的占比从2D NAND的15%提升至3D NAND的50%，ICP设备在其中扮演关键角色。中微的CCP设备已用于64层及以上3D NAND的高深宽比刻蚀，ICP产品则有望在存储芯片的硅刻蚀环节形成补充。
常见问题
中微ICP设备与CCP设备的主要区别是什么？
ICP设备主要用于硅刻蚀，适合对精确度要求高的底层电路结构雕刻；CCP设备主要用于介质材料（氧化硅、氮化硅）刻蚀，需要高离子能量。中微的传统优势在CCP领域，ICP是近年新切入的赛道。
中微ICP设备在28nm之后的技术路线是什么？
中微正在研发下一代ICP产品，目标面向5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片等领先工艺，目前处于研发阶段。
ICP设备在3D NAND闪存制造中的作用是什么？
3D NAND闪存因堆叠层数增加，刻蚀设备投资占比大幅提升。ICP设备可用于硅刻蚀工艺，与中微已有的CCP高深宽比刻蚀设备形成互补，共同服务于存储芯片的制造需求。