中微公司ICP刻蚀设备的增长驱动，主要来自三方面：单台机nanova在产线验证后获得客户重复订单、双台机Twin-Star进入市场带来的高输出低成本优势，以及制程能力追平28nm后向5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片的下一代产品研发。 从需求侧看，制程升级与芯片结构3D化持续推高刻蚀环节的价值量，ICP作为硅刻蚀的主力技术路线，市场空间随之扩容。

ICP需求为何持续攀升

刻蚀工艺在光刻之后进行，目标是把电路图形准确复制到硅片表面。按材料可分为硅刻蚀、介质刻蚀和金属刻蚀三大类，其中硅刻蚀主要针对底层电路结构的雕刻，直接决定芯片制程，对精确度要求很高，通常采用电感性等离子体刻蚀（ICP）设备。

需求增长的底层逻辑在于：制程越小，多重模板工艺带来的刻蚀次数越多；芯片向3D结构发展后叠堆层数增加，晶圆厂对刻蚀机的数量和质量要求同步提高。在3D NAND结构中，刻蚀设备在设备投资中的占比由2D NAND时代的15%升至50%，刻蚀环节的价值量提升明显。

双台机产品的增长驱动来自哪里

中微公司自2012年起着手研发ICP设备，单台机nanova经过前期产线验证后，从2020年开始获得客户的重复订单，并在近两年的行业高景气度中取得不错的销售成果。重复订单意味着设备已通过客户产线检验并形成持续采购，是收入放量的基础。

双台机Twin-Star随后进入市场，同样具备高输出、低成本的特点，市场反应不错。这一产品形态有助于公司继续提升市占率。需要说明的是，设备从进入市场到大规模放量通常需要经历验证与爬坡周期，实际节奏建议以公司后续公开披露为准。

制程升级如何打开成长空间

在制程能力上，中微公司的ICP设备已追平28nm。与此同时，公司正积极研发下一代ICP产品，主要面向5nm逻辑芯片以及1Xnm内存芯片等领先工艺。制程越先进，刻蚀步骤越多、对关键尺寸均匀度和刻蚀条件精确调控的要求越高，这既是技术门槛，也是设备价值量提升的来源。

从竞争格局看，全球干法刻蚀设备市场高度集中，泛林半导体、东京电子和应用材料三家合计占据主要份额；中微公司同时布局CCP与ICP两条产品线，其CCP设备已覆盖5nm工艺并进入台积电供应链，ICP则是在这一基础上的延伸。未来ICP设备有希望成为公司主要的业绩增长点。

常见问题

中微公司ICP设备的双台机产品指什么？

指双台机Twin-Star，其特点是高输出、低成本，目前已进入市场且市场反应不错。它与单台机nanova共同构成公司在ICP领域的产品组合，后者自2020年起获得客户重复订单。

中微公司ICP设备的制程水平如何？

综合各方面消息，中微公司ICP设备已追平28nm。公司同时积极研发下一代ICP产品，主要用于满足5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片等领先工艺需求。

ICP刻蚀需求增长的主要来源是什么？

一是制程升级与芯片结构3D化，使刻蚀次数和设备价值量持续提升；二是国产设备在客户端验证通过后形成重复订单；三是双台机等新形态产品进入市场，带来更高的输出效率与成本优势。