半导体设备国产化政策持续加码，为刻蚀设备的采购与研发提供了明确的引导方向。中微公司ICP设备（单台机Nanova、双台机Twin-Star）已实现28nm制程，与国内同业水平相当；其单台机在完成产线验证后获得客户重复订单，双台机也已进入市场。 与此同时，公司正积极研发面向5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片的下一代ICP产品。在国产化采购导向下，具备量产验证基础和持续研发能力的国产刻蚀设备厂商，有望在晶圆厂设备选型中获得更多验证与导入机会。

中微公司ICP设备的技术进展与市场表现

中微公司传统优势在CCP（电容性等离子体刻蚀）领域，制程覆盖65nm至5nm，并进入台积电7nm和5nm产线。在此基础上，公司从2012年开始着手研发ICP（电感性等离子体刻蚀）设备，切入硅刻蚀与金属刻蚀等应用场景。

从产品节奏看，单台机Nanova经过前期产线验证后，从2020年开始获得客户的重复订单，并在近两年行业高景气度中取得不错的销售成果。双台机Twin-Star也已进入市场，同样具备高输出、低成本的特点，市场反应良好，有助于公司继续提升市占率。

制程方面，综合各方面消息，中微公司ICP设备已直接追平28nm。此外，公司还在积极研发下一代ICP产品，主要满足5nm逻辑芯片及1Xnm内存芯片等领先工艺需求。未来，ICP设备有希望成为公司主要的业绩增长点。

政策导向如何影响刻蚀设备采购与研发节奏

刻蚀是晶圆制造中的关键环节。随着制程升级和芯片结构3D化，刻蚀次数显著增加——从65nm的20次提升至5nm的160次，晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量要求持续提高，刻蚀环节价值量随之提升。

在国内市场，刻蚀设备国产替代已取得一定进展。按SEMI估算，中微公司和北方华创在大陆市场的份额分别达到20%和6%。中微公司在台湾晶圆厂和大陆晶圆厂的公开中标中也占据较高比例。这些数据表明，在自主可控的政策导向下，国产刻蚀设备已具备一定的产线验证基础和客户认可度。

从采购逻辑看，国产化政策引导晶圆厂在设备选型中增加对本土供应商的验证与导入。中微公司ICP设备获得重复订单、双台机进入市场，正是这一导向下的具体体现。研发端，面向5nm逻辑和1Xnm内存的下一代ICP产品持续推进，也反映出政策引导下国产设备向更先进制程攻关的节奏。

常见问题

中微公司ICP设备目前制程达到什么水平？

综合各方面消息，中微公司ICP设备制程已追平28nm。同时，公司正积极研发下一代ICP产品，主要面向5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片等领先工艺。

中微公司ICP设备的市场进展如何？

单台机Nanova经过产线验证后，从2020年开始获得客户重复订单，并在近两年取得不错的销售成果；双台机Twin-Star已进入市场，市场反应良好，有助于继续提升市占率。

半导体设备国产化政策对刻蚀设备采购有何影响？

国产化政策引导晶圆厂增加对本土刻蚀设备的验证与导入。中微公司在大陆市场份额按SEMI估算达到20%，其ICP设备获得重复订单、双台机进入市场，体现了国产设备在政策导向下逐步扩大产线应用的趋势。