在刻蚀设备的国产替代进程中，中微公司（CCP 传统优势厂商）通过自主研发切入 ICP 赛道，与在 ICP 领域深耕多年的北方华创形成正面竞争。两者的核心差异在于：中微公司起家于电容性等离子体刻蚀（CCP），主攻介质刻蚀；北方华创专注电感性等离子体刻蚀（ICP），主攻硅刻蚀和金属刻蚀。 中微公司从 2012 年起研发 ICP 设备，单台机 Nanova 经产线验证后自 2020 年起获得客户重复订单，双台机 Twin-Star 也已进入市场，制程上追平北方华创达到 28nm。全球干法刻蚀市场仍高度集中，泛林半导体约占 46.71%、东京电子约 25.57%、应用材料约 16.96%，中微公司约 1.37%；大陆市场中微公司约 20%、北方华创约 6%。

CCP 与 ICP：两条技术路线的工艺分工

刻蚀按材料可分为硅刻蚀、介质刻蚀和金属刻蚀三大类。硅刻蚀直接决定芯片制程，对精确度要求极高，一般使用 ICP；介质材料（氧化硅、氮化硅）硬度高，需要高离子能量，一般使用 CCP。这决定了两家公司此前的竞争并不激烈——中微公司覆盖 CCP 介质刻蚀，北方华创专注 ICP 硅刻蚀与金属刻蚀。

中微切入 ICP 后的重叠与差异化

中微公司 ICP 设备切入后，两家在硅刻蚀领域形成重叠。从客户端看，中微公司已进入台积电供应链，是进入该产线的国产刻蚀设备厂商；北方华创产品已进入多家国内晶圆厂并实现大规模应用。制程上，两家 ICP 设备均达到 28nm，14nm/7nm 均处于验证阶段。差异化方面，中微公司在 CCP 领域覆盖 65nm 至 5nm 工艺，独创双反应台技术可同时刻蚀两块晶圆；北方华创则是设备品类最多、最全的平台性企业，覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等多个大类。

对比维度中微公司北方华创
传统优势CCP（介质刻蚀）ICP（硅刻蚀、金属刻蚀）
ICP 制程28nm（14nm/7nm 验证中）28nm（14nm 验证中）
大陆市场份额约 20%约 6%
产品线特点CCP 覆盖 65nm–5nm设备品类最多、最全的平台型企业

常见问题

中微公司和北方华创在刻蚀领域是直接竞争关系吗？

此前两家竞争并不激烈，因为中微公司核心产品是 CCP，北方华创专注 ICP，刻蚀对象不同。但随着中微公司切入 ICP 赛道，两家在硅刻蚀领域形成正面竞争，制程上中微公司 ICP 设备已追平北方华创达到 28nm。

ICP 和 CCP 刻蚀设备的主要区别是什么？

ICP（电感性等离子体刻蚀）主要用于硅刻蚀，直接决定芯片制程，对精确度要求高；CCP（电容性等离子体刻蚀）主要用于介质刻蚀，处理氧化硅、氮化硅等高硬度材料，需要高离子能量。两者应用占比接近，但 ICP 单机价值更高，市场规模明显高于 CCP。

全球刻蚀设备市场的竞争格局如何？

市场高度集中，泛林半导体、东京电子和应用材料三家合计约占全球份额的 90%。其中泛林半导体在全球市场和大陆市场占比均约 50%，处于龙头地位。中微公司和北方华创在大陆市场的份额分别约为 20% 和 6%，国产替代已取得一定进展。