中微公司从2012年启动ICP刻蚀设备研发，到2020年Nanova机型获得客户重复订单，这标志着国产刻蚀设备行业在技术路线和市场格局上经历了两个关键拐点：一是刻蚀技术从CCP（电容性等离子体刻蚀）向ICP（电感性等离子体刻蚀）的横向拓展，二是3D NAND堆叠层数提升驱动刻蚀设备需求爆发，带动国产厂商进入高速增长期。
技术路线拐点：从CCP到ICP的跨越
中微公司的传统优势在于CCP设备，其产品已覆盖从65nm到5nm的先进制程，并进入台积电供应链。但CCP主要用于介质刻蚀（氧化硅、氮化硅），而芯片底层电路结构的硅刻蚀则需要ICP设备。2012年，中微公司开始自主研发ICP设备，单台机Nanova经过产线验证后，从2020年开始获得客户的重复订单，标志着公司成功切入ICP赛道，与北方华创形成正面竞争。此后，双台机Twin-Star也进入市场，进一步巩固了中微在ICP领域的布局。
市场需求拐点：3D NAND与制程升级驱动
随着芯片向3D结构发展，尤其是3D NAND堆叠层数持续增加，刻蚀设备的用量和价值量显著提升。资料显示，从2D NAND到3D NAND，刻蚀设备在总设备投资中的占比从15%提升至50%，成为最大的价值增量环节。同时，随着制程从65nm缩小到5nm，刻蚀次数从20次增至160次，对刻蚀设备的数量和质量要求同步提高。这为国产ICP设备创造了巨大的替代空间，中微公司的ICP产品正是在这一背景下实现放量。
常见问题
中微公司ICP设备目前达到什么制程水平？
中微公司的ICP设备制程已达到28nm，与北方华创在该领域的技术水平持平。同时，公司正在研发下一代ICP产品，用于满足5nm逻辑芯片及1Xnm内存芯片等领先工艺的需求。
中微公司进入ICP赛道后，与北方华创的竞争关系如何？
此前中微专注于CCP、北方华创深耕ICP，两者竞争并不激烈。随着中微切入ICP，两家公司在硅刻蚀领域将形成直接竞争。但中微的ICP产品定位为28nm及以上成熟制程，未来有望成为公司新的业绩增长点。