在约31亿美元的车载存储芯片市场中，DRAM与NAND合计占比超过70%，是规模最大的两类车规存储产品。其增长驱动力来自汽车智能化、网联化带来的数据量激增：智能驾驶系统、智能座舱和车联网大规模应用产生海量数据，直接推高单车存储的容量与读写性能需求，并推动DRAM向更高容量与带宽、NAND向更大容量与更高性能产品切换。

DRAM：容量与带宽随智驾等级同步抬升

车规DRAM用于存放运行中的程序和数据，核心应用包括车载信息娱乐系统（IVI）、智能驾驶系统以及信息与数字仪表盘。这三大系统的升级，对DRAM容量和带宽提出了更高要求。

容量方面，根据美光数据，L1/2级汽车单车DRAM容量需求约为8GB，L3级和L5级将分别提升到16GB和74GB。智能驾驶和IVI是车规DRAM的主要增量来源，其中智能驾驶的增量需求最为明显。带宽方面，L2级DRAM带宽一般为25-50GB/s，L3级可达200GB/s，L4级之后将提升到1TB/s。产品层面，L2级车一般采用基础的DDR2或DDR3，随着L2向L3升级，DRAM也逐步向DDR4或DDR5切换。

NAND：容量需求攀升，产品向UFS切换

车规NAND同样用于智能驾驶系统、IVI以及汽车中控等场景，主要作用是存储连续数据。其中智能驾驶系统的NAND容量需求增长最为显著：根据海力士数据，L2级智能驾驶一般只需主流的8GB容量，L3级攀升到128或256GB，L5级最高可能超过2TB。

IVI系统方面，传统汽车娱乐系统一般只需32GB以下的NAND，升级智能座舱后64GB成为最低配置，并预计到2030年IVI系统的NAND需求最高将提升至1TB。此外，随着自动驾驶技术发展，未来将形成“端-边-云”数据架构以确保行车安全性，为减小云端和汽车间的数据传输延时，车载NAND需求还会进一步提升。

产品结构上，车规NAND主要包括e-MMC和UFS两大类。e-MMC是中低端车载娱乐系统的标配产品，在网关和智能驾驶中也有应用；相比e-MMC，UFS在读写效率、延时、功耗、容量等方面具有显著优势，近年渗透率不断提升。以三星新推出的UFS4.0为例，其写入速度高达2800MB/s，最大容量达1TB，而e-MMC5.1的最大容量为256GB，高性能UFS替代e-MMC的趋势较为明确。

常见问题

车载存储芯片主要分为哪几类？

汽车存储芯片分为易失型和非易失型，易失型包含DRAM、SRAM两大类，非易失型为NAND、NOR Flash等。其中DRAM和NAND是最主要的两大类芯片，在约31亿美元的车载存储芯片市场中合计占比超过70%。

DRAM和NAND在车上的作用有什么不同？

车规DRAM主要用于存放运行中的程序和数据，核心应用是车载信息娱乐系统、智能驾驶系统以及信息与数字仪表盘；车规NAND主要用于存储连续数据，应用场景包括智能驾驶系统、IVI和汽车中控等。两者共同支撑智能驾驶与智能座舱的数据缓存、读取和处理。

为什么单车存储用量会持续提升？

在汽车智能化、网联化趋势下，智能驾驶系统、智能座舱和车联网技术大规模应用，产生海量数据，对存储系统的读写性能、容量和可靠性提出更高要求。以智能驾驶研发为例，L2级车路测一小时约产生2TB数据，L4-L5级车每小时路测数据量可达16-20TB，单次路测即产生8-60TB数据，整个研发周期产生的数据达到EB级别，海量数据的缓存、读取和处理持续拉动车载存储需求。