在31亿美元的车载存储芯片市场中，DRAM和NAND合计占比超过70%，是汽车智能化和网联化趋势下最核心的两大类存储芯片。其产业链格局呈现高度集中态势：DRAM市场由三星、SK海力士、美光三大巨头主导（2021年合计份额超94%），而车规DRAM领域美光以45%市占率领先，北京君正则通过收购北京矽成位居第二（15%）；NAND市场同样由三星、铠侠、海力士等前五大厂商主导（合计市占率91%），其中三星在UFS产品进度上领先。国内厂商如兆易创新、东芯股份则聚焦小容量利基市场，逐步切入车规级NAND。
车载存储芯片的分类与市场结构
汽车存储芯片分为易失型（DRAM、SRAM）和非易失型（NAND、NOR Flash等）。DRAM和NAND是市场主力，合计占车载存储芯片市场超七成份额。DRAM主要用于存放运行中的程序和数据，核心应用包括车载信息娱乐系统（IVI）、智能驾驶系统和仪表盘；NAND则用于存储连续数据，覆盖智能驾驶、IVI及汽车中控等场景。
车规DRAM产业链格局
上游晶圆代工依赖全球领先的存储晶圆制造能力，中游存储颗粒设计由三星（43.6%）、SK海力士（27.7%）、美光（22.8%）等巨头主导（2021年全球DRAM市场格局）。但在车规DRAM细分领域，美光市占率达45%，北京君正以**15%**位居第二，三星（11%）、南亚科（10%）、华邦电（8%）等紧随其后。北京君正DDR3收入占比较大，同时正重点布局DDR4和LPDDR4，8GB和16GB的DDR4已量产出货。下游模组及车厂应用方面，车规DRAM正从DDR2/3向DDR4/5升级，L2级车需求约8GB，L3级升至16GB，L5级可达74GB。
车规NAND产业链格局
NAND市场集中度同样极高，2021年第四季度三星（33.5%）、铠侠（19.8%）、SK海力士（14.7%）等前五名厂商合计市占率91%。车规NAND由这些龙头主导，三星UFS3.1已量产出货，新推出的UFS4.0未来将应用于车载领域；铠侠、海力士、美光也已推出UFS3.1产品，其中美光和铠侠处于送样检测阶段。国内厂商兆易创新全系列SPI NAND Flash覆盖1-4GB容量，已通过AEC-Q100车规认证；东芯股份车规级SLC NAND样品覆盖1-8GB，已向客户送样。产品趋势上，NAND正从e-MMC向UFS切换，UFS4.0写入速度达2800MB/s，是e-MMC 5.1的15.6倍，最大容量达1TB，而e-MMC最大仅256GB。
常见问题
车规DRAM和NAND的主要区别是什么？
DRAM属于易失性存储，主要用于存放运行中的程序和数据，对带宽和容量要求高；NAND属于非易失性存储，用于存储连续数据，对容量和读写速度敏感。两者在智能驾驶和IVI系统中协同工作，DRAM负责临时数据处理，NAND负责持久化存储。
国内厂商在车规存储芯片产业链中处于什么位置？
在车规DRAM领域，北京君正通过收购北京矽成位居全球第二（15%市占率），产品以DDR3为主并加速布局DDR4。在车规NAND领域，兆易创新和东芯股份主要布局1-8GB的小容量利基市场，已通过车规认证或进入送样阶段，与国际龙头在技术和规模上仍有差距。
未来车规存储芯片的增长驱动力是什么？
主要来自智能驾驶和智能座舱的升级。以DRAM为例，L1/2级单车需求约8GB，L5级升至74GB；NAND方面，L2级约需8-64GB，L5级可能超过2TB。同时，产品从DDR2/3向DDR4/5、从e-MMC向UFS的迭代，将推动价值量提升。