车载存储芯片的发展历程中，自动驾驶需求爆发是DRAM和NAND共同的关键增长拐点，但两者的演进路径存在显著差异：DRAM主要沿着从DDR到LPDDR的高带宽、低功耗路线升级，而NAND则经历了从2D到3D NAND的容量突破，以及从e-MMC向UFS的接口换代。
关键拐点：自动驾驶与智能座舱驱动
车载存储芯片的需求激增，核心驱动力来自汽车智能化和网联化。以智能驾驶系统为例，L2级车辆路测一小时产生约2TB数据，而L4-L5级可达16-20TB，海量数据对存储的读写性能、容量和可靠性提出更高要求。根据测算，车规DRAM市场规模预计从2021年的12亿美元增长至2030年的49亿美元，同期的车规NAND市场规模则从10亿美元增长至119亿美元，复合增长率分别达到16.5%和31%。
DRAM演进：从DDR到LPDDR，带宽与容量双升
车规DRAM主要用于存放运行中的程序和数据，其演进路径围绕带宽和容量的提升展开。随着自动驾驶等级从L2向L3及以上升级，DRAM也从基础的DDR2/DDR3逐步向DDR4或DDR5切换。例如，L2级DRAM带宽一般为25-50GB/s，而L3级可达200GB/s，L4级之后更提升至1TB/s；单车DRAM容量需求从L1/2级的8GB，跃升至L3级的16GB和L5级的74GB。在接口方面，LPDDR（低功耗双倍数据率）成为主流，美光已推出业界首款满足ASIL D等级的LPDDR5，北京君正等厂商也在重点布局DDR4和LPDDR4。
NAND演进：从e-MMC到UFS，容量与速度跨越式增长
车规NAND主要用于存储连续数据，其演进路径以3D NAND技术突破为基础，实现了容量和读写速度的跨越式增长。在接口方面，NAND从传统的e-MMC（嵌入式多媒体控制器）向UFS（通用闪存存储）切换：UFS的写入速度远高于e-MMC，例如UFS4.0写入速度达2800MB/s，是e-MMC5.1的15.6倍，最大容量也达到1TB（e-MMC5.1最大仅256GB）。容量需求方面，L2级智能驾驶一般只需8-64GB，而L3级攀升至128-256GB，L5级最高可能超过2TB；智能座舱的IVI系统NAND需求也从传统32GB以下提升至64GB起步，预计2030年最高可达1TB。
常见问题
车载DRAM和NAND的市场规模增速有何不同？
根据测算，车规DRAM市场规模从2021年的12亿美元增长至2030年的49亿美元，复合增长率约16.5%；而车规NAND市场规模同期从10亿美元增长至119亿美元，复合增长率约31%，NAND的增速显著高于DRAM。
LPDDR和UFS分别是什么，为何在车载领域越来越重要？
LPDDR是低功耗双倍数据率DRAM，UFS是通用闪存存储。两者分别对应DRAM和NAND在车载领域的主流演进方向。LPDDR以更低功耗提供高带宽，满足智能驾驶对实时数据处理的需求；UFS则凭借远高于e-MMC的读写速度和更大容量，满足自动驾驶和智能座舱对海量连续数据存储的需求。
国内厂商在车规存储芯片领域进展如何？
在车规DRAM领域，北京君正（通过收购北京矽成）市占率约15%，位居全球第二，其DDR3收入占比最大，DDR4 8GB和16GB已量产出货，8GB LPDDR4已开始送样。在车规NAND领域，国内厂商主要布局小容量利基市场，例如兆易创新的SPI NAND Flash覆盖1-4GB容量，已通过AEC-Q100车规认证；东芯股份的车规级NAND样品覆盖1-8GB容量，已向客户送样。