CCP介质刻蚀深孔槽工艺市场由泛林主导，国产半导体设备厂商谁在追赶？

全球CCP介质刻蚀深孔槽工艺市场确实由泛林半导体（拉姆研究）主导，国产厂商中追赶最快的是中微公司。中微公司凭借其Primo SSC系列CCP刻蚀设备，已进入16纳米以下2D闪存和64层及以上3D闪存芯片制造领域，并在中国大陆刻蚀设备市场占据约20%的份额，是国产替代进程中的核心力量。

全球与大陆市场竞争格局

全球干法刻蚀设备市场高度集中，泛林半导体、东京电子、应用材料三家公司合计占据约90%的市场份额。其中泛林半导体以约46.71%的份额位居全球第一。

在中国大陆市场，泛林半导体同样占据约52%的份额，中微公司以约20%的份额位居第二，已具备较强的国产替代能力。北方华创在大陆市场约占6%的份额。

中微公司在CCP介质刻蚀领域的技术积累深厚。其Primo SSC AD-RIE系列产品已实现16纳米以下2D闪存芯片制造中的量产应用，而Primo SSC HD-RIE系列则针对64层及以上3D闪存芯片的高深宽比孔、槽刻蚀需求进行了优化，具备超高脉冲射频功率能力，满足更高深宽比的刻蚀要求。

在先进制程方面，中微公司的CCP设备已进入台积电7纳米和5纳米产线，是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。在CCP制程工艺上，中微公司已实现7纳米和5纳米节点的量产，3纳米节点处于研发阶段。

值得注意的是，中微公司在CCP领域仍有两块短板：一是用于逻辑芯片的大马士革刻蚀，二是用于3D存储芯片的高深宽比刻蚀。这两块目前仍由国外设备公司主导，但中微公司的大马士革刻蚀产品开发已接近完成，高深宽比刻蚀也已实现技术突破。

两家公司的产品侧重不同。中微公司的传统优势在CCP（电容性等离子体刻蚀），主要用于介质材料刻蚀；北方华创则深耕ICP（电感性等离子体刻蚀），主要用于硅刻蚀和金属刻蚀，核心设备制程达28纳米。不过中微公司已切入ICP赛道，未来将与北方华创形成正面竞争。

中微公司的Primo SSC系列已用于16纳米以下2D闪存和64层及以上3D闪存芯片制造。其中Primo SSC HD-RIE通过优化气流分布和下电极设计，实现了超高脉冲射频功率，以满足更高深宽比孔、槽的刻蚀要求。

除中微公司外，国内其他刻蚀设备厂商的市场份额相对较低。在半导体设备这一马太效应显著的行业中，中微公司凭借在CCP领域的技术积累和客户突破，已成为国产替代的先锋力量，但整体而言国产设备在全球市场仍处于追赶阶段。