CMP（化学机械抛光）工艺通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，将晶圆表面平整度控制在纳米级，是先进制程与高密度存储芯片制造中不可或缺的全局平坦化手段。其市场规模增长主要由先进制程节点对平坦化精度的刚性要求、3D NAND堆叠层数增加带来的CMP步骤数上升，以及成熟制程持续扩产对抛光材料用量的拉动三大因素共同驱动。

先进制程：精度要求驱动用量提升

随着逻辑芯片制程向更小节点推进，晶圆表面的平坦化精度要求随之提高，CMP工艺步骤数量与抛光材料消耗量同步增加。官方资料显示，针对10nm节点以下芯片的钴抛光液已被列为独立品类，用于钴的去除和平坦化；同时，铜及铜阻挡层抛光液在逻辑芯片生产中需大量使用。这意味着越先进的制程，对CMP材料种类和用量的需求越大。

3D NAND：堆叠层数增加带来步骤数上升

存储芯片是CMP材料的另一大需求来源。在3D NAND制造中，随着堆叠层数不断增加，每一层都需要经过平坦化处理，CMP步骤数随之上升。官方资料指出，钨抛光液用于芯片中钨塞和钨通孔的平坦化，生产存储芯片需大量使用；铜及铜阻挡层抛光液同样在存储芯片生产中大量使用。堆叠层数的增加直接带动了CMP材料用量的增长。

成熟制程与国产化：市场基本盘持续扩大

除先进制程外，成熟制程的持续扩产同样为CMP材料市场提供稳定需求。资料显示，国内抛光垫厂商的硬垫产品已覆盖28nm以上全部制程，并进入长江存储、中芯国际等国内主流晶圆厂供应体系。在抛光材料成本构成中，抛光液与抛光垫合计占比达82%，是CMP环节的核心耗材。随着国内晶圆厂产能扩张，CMP材料的市场需求保持增长态势。

常见问题

CMP工艺在半导体制造中的重要性如何？

CMP是仅次于光刻、刻蚀和薄膜沉积的第四大半导体制造工艺，其作用是对晶圆进行全局平坦化处理，使表面平整度达到纳米级，为添加下一层电路特征创造条件。随着制程推进和存储芯片堆叠层数增加，CMP的重要性持续提升。

抛光液和抛光垫在CMP材料中的价值占比是多少？

抛光液价值量占比为49%，抛光垫占比为33%，两者合计占CMP抛光材料成本的82%，是两大核心材料。抛光液中的磨粒是核心组分，占原材料成本的50%-70%。

国内CMP材料厂商的竞争力如何？

国内抛光液厂商安集科技已实现七大类抛光液产品的全面布局，产品获得大陆晶圆厂高度认可并进入台积电供应链；抛光垫厂商鼎龙股份实现了量产，硬垫产品覆盖28nm以上全部制程，并计划拓展海外市场。