CMP抛光液磨粒用于先进制程，晶圆平坦化的核心材料，其下游应用与需求结构主要围绕逻辑芯片、存储芯片和先进封装三大领域展开。 随着制程向7nm及以下微缩，以及3D NAND层数增加，CMP步骤数量显著提升，对抛光液和磨粒的需求结构持续升级。
CMP抛光液与磨粒的核心作用
CMP（化学机械抛光）是半导体制造中仅次于光刻、刻蚀和薄膜沉积的第四大工艺，用于对晶圆进行全局平坦化处理。抛光液是CMP过程的关键材料，价值量占CMP材料总成本的49%。磨粒是抛光液最核心的组分，大约占原材料成本的50%至70%。磨粒通过机械作用去除晶圆表面多余材料，其硬度和形状的均匀性是保障抛光一致性和可靠性的关键。
下游应用场景与需求结构
CMP抛光液根据应用领域可分为七大类产品，不同下游场景的需求结构差异明显：
| 应用场景 | 主要使用的抛光液类型 | 需求特点 |
|---|---|---|
| 逻辑芯片（先进制程） | 铜及铜阻挡层抛光液、钴抛光液、层间介质层抛光液、浅槽隔离层抛光液 | 制程越先进（如7nm以下），CMP步骤越多，对钴抛光液等高端产品的需求增加 |
| 存储芯片（3D NAND） | 钨抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、层间介质层抛光液 | 3D NAND层数增加，CMP材料用量提升，钨抛光液大量使用 |
| 先进封装 | 3D封装硅通孔(TSV)抛光液 | 随先进封装技术发展，对TSV抛光液的需求增长 |
对于10nm节点以下的芯片，还需要使用钴抛光液用于钴的去除和平坦化。在存储芯片制造中，钨抛光液被大量使用，而逻辑芯片只在部分工艺段使用钨抛光液。
常见问题
为什么先进制程对CMP材料需求更大？
先进制程（如7nm以下）的芯片制造中，晶圆表面的平坦度要求更高，CMP步骤数量显著增加。同时，新材料的引入（如钴）需要专门的抛光液，进一步推动了对高端CMP材料的需求。
3D NAND层数增加如何影响需求？
随着3D NAND层数增加，芯片结构更复杂，CMP工艺步骤和材料用量均相应提升。存储芯片制造中需要大量使用铜及铜阻挡层抛光液和钨抛光液，层数增加直接带动这些抛光液的用量增长。
磨粒在抛光液中的重要性如何？
磨粒是抛光液最核心的组分，占原材料成本的50%至70%。其硬度和形状的均匀性直接影响抛光效果。目前最常用的磨粒是二氧化硅，核心技术仍由海外巨头主导，国内厂商如安集科技的磨粒主要采购自日本厂商。