CMP抛光液的成本结构中，磨粒是占比最高的核心组分，约占原材料成本的50-70%。半导体材料市场规模的持续增长，主要驱动力来自于先进制程的推进和先进封装的普及——随着晶圆制造向更小节点（如7nm及以下）演进，CMP抛光步骤数量成倍增加，从而带动CMP抛光液、抛光垫等材料的用量显著上升。
先进制程：CMP步骤翻倍，材料用量激增
在半导体制造中，CMP（化学机械抛光）是仅次于光刻、刻蚀和薄膜沉积的第四大核心工艺，用于对晶圆进行全局平坦化。当制程节点向7nm以下推进时，芯片结构复杂度大幅提升，所需的CMP抛光步骤数量相比成熟制程成倍增加。每一步CMP都需要消耗抛光液和抛光垫，直接拉动了这些材料的市场需求。作为CMP材料中价值量占比最高的品类，抛光液的成本占比达到49%，而抛光垫占比33%，两者的用量随制程升级同步增长。
先进封装：新增抛光需求，拓宽市场空间
除了前道制造，先进封装技术（如3D封装、硅通孔TSV等）也在增加CMP材料的应用场景。TSV工艺中需要使用专门的3D封装硅通孔抛光液，这为CMP抛光液市场开辟了新的增长点。随着封装密度和层数提升，更多抛光步骤被引入，进一步推动CMP材料整体市场规模扩大。
常见问题
磨粒在抛光液中的成本占比是多少？
磨粒是抛光液最核心的组分，约占原材料成本的50-70%。目前最常用的磨粒是二氧化硅，其硬度和形状的一致性直接影响抛光效果，核心技术仍主要由海外供应商掌握。
CMP抛光液主要分为哪些类别？
根据应用领域，抛光液可分为七大类：硅抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、钴抛光液、层间介质层抛光液、浅槽隔离层抛光液，以及3D封装硅通孔抛光液。不同制程和材料需求对应不同的抛光液配方。
国内CMP抛光液和抛光垫的国产化进展如何？
国内CMP抛光液领域以安集科技为代表，产品已获得大陆晶圆厂高度认可，并进入台积电供应链；抛光垫领域则主要由鼎龙股份实现量产，其硬垫产品覆盖28nm及以上制程，并在部分晶圆厂达到一供地位。两家企业均在推进关键原材料的自产化。