复合集流体的工艺演进,本质上是一部高分子材料表面金属化技术的积累史。从早期化学镀、电镀等湿法工艺,到真空蒸发镀膜、磁控溅射镀膜、离子镀等干法工艺相继问世,底层技术逐步成熟;而复合铜箔真正走向产业化,则是在传统电解铜箔四工序(溶铜、生箔、后处理、分切)基础上大幅缩短制程,核心难点转向高分子材料表面镀膜。近期一步法横空出世并受到市场广泛关注,构成新的关键节点。
底层工艺的积累期
高分子表面金属化的多项底层工艺在漫长的时间里先后确立。电镀法于1893年出现,利用电解方式在基材上镀覆金属,形成结构致密、均匀且结合力良好的金属镀层,优势是结构致密、表面平滑光亮、内应力小、成本较低、效率高。化学镀于1946年出现,通过在基础液中添加还原剂,使金属离子在高分子基材表面自催化还原成镀膜层,无边缘效应、镀层均匀,但催化剂成本较高、效率略低,且需环保处理污水。
干法方向同样起步很早:真空蒸发镀膜于1953年出现,将高分子基材及金属靶材置于真空环境下加热蒸发金属,使原子在基材上均匀沉积,沉积速率快于磁控、设备简单,但附着力低、高温影响基膜强度,致密性、膜厚、重复性等差于磁控溅射。磁控溅射镀膜于1955年出现,在惰性气氛下于高分子基体和金属靶材间设置高压直流电,产生惰性气体等离子体轰击金属靶材,使金属原子沉积至基体上,结合力强、致密、均匀、膜厚可控,但速度慢、设备复杂。离子镀于1964年出现,在镀覆中利用荷能离子轰击工件表面与膜层以获得较好黏结力,使高分子材料在电镀时不再受限于温度,但需要低温成膜环境,且沉积薄膜中含气量较高。化学还原金属化则于1991年出现,通过金属盐与高分子材料之间的化学键形成离子或螯合物,将金属离子带入高分子材料中再还原成金属原子,上镀速率提高、镀层与高分子材料之间黏结力强。
从电解铜箔到复合铜箔的制程拐点
传统铜箔一般采用电解法生产,主要包括溶铜、生箔、后处理、分切四大工序。复合铜箔的工艺制程有所缩短,但难度大大提升,核心难点就在于高分子材料表面镀膜。从微观上看,高分子是长链结构,主要通过范德华力结合,长程无序;而纯铜晶体则是面心立方的晶体结构,通过金属键结合,长程有序。两者的界面结合力,是复合铜箔力学以及热学性能的关键。
技术路线的分化与一步法登场
目前业内的生产方法按工序和原理不同,有一步法、两步法和三步法之分,但根本上都是四种常用底层工艺的排列组合。
| 路线 | 步骤数 | 底层工艺组合 | 主要玩家 | 特点 |
|---|---|---|---|---|
| 两步法 | 两步 | 磁控溅射+水电镀 | 宝明科技、双星新材等大部分厂商 | 磁控溅射打底提供结合力,水电镀作为成熟工艺提升效率 |
| 三步法 | 三步 | 磁控溅射+真空蒸镀+水电镀 | 重庆金美、万顺新材 | 真空蒸镀替代部分磁控溅射,可提升效率,但复杂度相应增加 |
| 全干法一步法 | 一步 | 磁控溅射 | 道森股份 | 双面磁控溅射至1μm,结合力强;效率相对较低;步骤简单 |
| 全湿法一步法 | 一步 | 化学镀 | 三孚新科、智动力 | 解决边缘效应(增大幅宽),提升良率;催化剂成本较高、效率相对较低;步骤简单 |
此前大多数公司选择两步法路线,重庆金美和万顺新材为提升生产效率,在两步法基础上尝试用真空蒸镀替代部分磁控溅射,形成三步法。到了最近半年,一步法横空出世并受到市场广泛关注,代表性方案包括三孚新科的全湿法(化学沉积)和道森股份的全干法(磁控溅射)。其中化学沉积法可解决电化学沉积的边缘效应,提升镀铜层均匀性,可做出更大幅宽,且工艺成熟、工序简单,良率较高,但金属在基膜表面的附着力相对不强烈,存在脱铜风险,污水处理等成本也较高,未来还需通过配方调整、设备工艺改进等方式改善。
无论是一步法、两步法还是三步法,都有各自的优势和劣势,对于下游客户来说目前都在测试阶段,对各种工艺和方案还比较开放,未来随着产业逐渐成熟,任何一种方法都有可能成为发展趋势。
常见问题
复合集流体的工艺演进可以分成哪几个阶段?
可以大致分为底层工艺积累期与技术路线分化期。前者是电镀法、化学镀、真空蒸发镀膜、磁控溅射镀膜、离子镀、化学还原金属化等底层工艺先后确立并逐步成熟;后者是在这些底层工艺基础上,组合出两步法、三步法与一步法等具体生产路线。
为什么说一步法是近期的新关键节点?
此前大多数厂商选择磁控溅射+水电镀的两步法,部分厂商尝试三步法。而一步法在最近半年横空出世并受到市场广泛关注,代表性方案有全湿法的化学沉积与全干法的磁控溅射,其共同特点是步骤简单,因而被视为工艺演进中的新节点。
复合铜箔的制造难点在哪里?
难点在于高分子材料表面镀膜。高分子为长链结构、通过范德华力结合、长程无序,纯铜晶体为面心立方结构、通过金属键结合、长程有序,两者之间的界面结合力,是复合铜箔力学以及热学性能的关键。