刻蚀设备是3D NAND和逻辑芯片制造中需求增长最快的半导体设备之一。随着3D NAND层数增加和逻辑芯片制程向7nm、5nm演进，芯片结构日趋复杂，晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量要求显著提升，驱动刻蚀环节的价值量持续上升。中微公司（AMEC）等国产厂商在介质刻蚀（CCP）领域已进入台积电7nm和5nm产线，并积极拓展ICP市场，成为国产替代的重要力量。
下游应用如何拉动刻蚀设备需求
3D NAND：层数增加推动刻蚀步骤激增
在3D NAND制造中，芯片向立体堆叠结构发展，叠堆层数不断增加，这要求刻蚀设备具备更高的深宽比刻蚀能力。资料显示，从2D NAND到3D NAND，刻蚀设备在总设备投资中的占比从15%大幅提升至50%，而光刻设备的占比则从20%下降至8%。中微公司针对这一需求，推出了Primo SSC HD-RIE刻蚀设备，专门用于64层及以上的3D闪存芯片制造。
逻辑芯片：制程升级驱动刻蚀次数成倍增长
逻辑芯片工艺从65nm向5nm演进时，刻蚀次数从20次激增至160次。资料显示，10nm工艺需要116次刻蚀，7nm需要140次，5nm则达到160次。刻蚀设备在逻辑芯片制造中的价值量因此持续提升。中微公司的CCP刻蚀设备已覆盖从65nm到5nm的最先进制程，是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。
中微公司：从CCP到ICP的全面布局
中微公司传统优势在电容性等离子体刻蚀（CCP），主要应用于介质材料（如氧化硅、氮化硅）的刻蚀，覆盖约七成的介质刻蚀应用。其CCP产品已成功进入台积电7nm和5nm产线。同时，公司从2012年开始研发电感性等离子体刻蚀（ICP）设备，单台机Nanova从2020年起获得客户重复订单，双台机Twin-Star也已进入市场。在ICP领域，中微公司的制程已达到28nm，并正在研发用于5nm逻辑芯片和1Xnm内存芯片的下一代产品。
常见问题
刻蚀设备在3D NAND制造中的价值占比为何大幅提升？
从2D NAND到3D NAND，刻蚀设备在总设备投资中的占比从15%提升至50%。这是因为3D NAND通过增加堆叠层数来提升存储密度，需要刻蚀设备完成高深宽比的深孔和深槽结构，而光刻设备的占比则相应下降。
中微公司的刻蚀设备主要应用于哪些领域？
中微公司的CCP刻蚀设备主要用于介质刻蚀，覆盖逻辑芯片的65nm到5nm制程，以及3D NAND的64层及以上制造。其ICP刻蚀设备则用于硅刻蚀，目前制程达到28nm，并正积极向更先进制程拓展。
国产刻蚀设备厂商的市场份额如何？
根据SEMI的数据，在大陆刻蚀设备市场中，中微公司市场份额约20%，北方华创约6%。全球市场中，泛林半导体、东京电子和应用材料三家合计占据约90%的份额，中微公司全球占比约1.37%，但国产替代进程正在加速。