ICP 与 CCP 的应用占比相近(约 43% 与 42%),但 ICP 单机价值更高,因此 ICP 市场规模明显高于 CCP。 刻蚀环节的定价与议价能力,主要取决于制程领先性、客户认证进度和国产替代紧迫度:谁能在更先进制程上实现量产、通过头部晶圆厂验证,谁就更容易在采购谈判中占据主动。全球干法刻蚀设备市场高度集中,拉姆研究、东京电子、应用材料三家合计约占 90%,其中拉姆研究在全球和大陆市场份额均约 50% 左右;大陆市场中,中微公司份额约 20%,北方华创约 6%。
ICP 与 CCP:应用相近,价值量分化
ICP(电感性等离子体刻蚀)与 CCP(电容性等离子体刻蚀)最根本的差异在刻蚀对象:硅刻蚀直接决定芯片制程,精度要求高,一般使用 ICP;介质材料氧化硅、氮化硅硬度高,需要高离子能量,一般使用 CCP。
| 维度 | ICP | CCP |
|---|---|---|
| 应用占比 | 约 43% | 约 42% |
| 典型工艺 | 浅沟槽隔离、多晶硅栅、金属栅等 | 栅侧墙、硬掩膜、接触孔、深孔槽等 |
| 单机价值 | 更高 | 相对较低 |
| 市场规模 | 明显高于 CCP | 低于 ICP |
由于 ICP 单机价值更高,即便应用占比与 CCP 接近,其市场规模仍明显更高——这意味着晶圆厂在硅刻蚀环节的单位采购支出更重,该环节的设备定价弹性也更大。
价格传导:制程越先进,价值量越高
刻蚀环节的价值量随制程升级持续提升。65nm 节点刻蚀次数约 20 次,到 7nm 升至约 140 次,5nm 进一步升至约 160 次;3D 结构普及后,刻蚀设备在 3D NAND 产线中的价值占比由 2D NAND 时代的 15% 升至 50%。刻蚀步骤越多、深宽比越高,单台设备的技术门槛与不可替代性越强,价格传导也就越顺畅——晶圆厂在先进制程扩产时,对刻蚀设备的采购结构会从“按数量补足”转向“按制程能力择优”,高价值机型的占比随之上升。
议价能力:认证进度决定话语权
议价能力向技术领先方倾斜,体现为三点:
- 制程领先性:中微公司 CCP 设备覆盖 65nm 至 5nm 工艺,并进入台积电 7nm、5nm 产线,是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商;其 ICP 设备制程已达 28nm。北方华创核心刻蚀设备制程为 28nm,更先进的 14nm 工艺进入验证阶段。
- 客户认证:设备一旦通过头部晶圆厂量产验证,替换成本高、认证周期长,供应商在后续重复采购中的议价地位明显增强。中微公司 ICP 单台机在产线验证后获得客户重复订单,双台机也已进入市场。
- 国产替代紧迫度:在大陆市场,拉姆研究仍占约 52%,国产厂商份额提升空间较大,替代进程本身会重塑采购谈判的筹码分布。
常见问题
ICP 单机价值为什么高于 CCP?
ICP 主要用于硅刻蚀,直接决定芯片制程,对关键尺寸均匀度和刻蚀条件精确调控要求极高;CCP 多用于介质刻蚀。技术难度与工艺地位不同,使 ICP 单机价值更高,市场规模也明显高于 CCP。
刻蚀设备的议价能力由什么决定?
核心是制程领先性与客户认证进度。能覆盖更先进制程、并已进入头部晶圆厂量产产线的厂商,在重复订单和扩产采购中更具话语权;国产替代的紧迫度也会影响晶圆厂对国产设备的采购意愿与谈判空间。
晶圆厂扩产时采购结构会怎么变?
制程升级和结构 3D 化会显著增加刻蚀次数与刻蚀设备价值占比,采购重心会向高深宽比、先进制程机型倾斜,ICP 与 CCP 的采购比例也会随具体工艺需求动态调整。