随着制程从65nm演进到5nm，刻蚀次数从20次激增至160次，增长8倍。这不仅带来了设备需求量的爆发，更对刻蚀技术提出了极高要求。国产半导体设备在先进制程刻蚀环节的突破，正以中微公司和北方华创为代表，在CCP和ICP两大领域分别取得关键进展，其中中微公司的CCP设备已进入台积电7nm和5nm产线，成为唯一进入其供应链的国产刻蚀设备厂商。
刻蚀次数激增：需求与技术门槛同步攀升
在先进制程中，多重模板工艺和3D结构的发展，使得晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量要求显著提高。根据SEMI及东方证券的统计，从65nm到5nm，刻蚀次数从20次增长至160次。在2D NAND中刻蚀设备价值量占比为15%，而在3D NAND中这一比例跃升至50%。这种变化直接驱动了全球刻蚀设备市场规模的快速扩大。
国产刻蚀设备厂商：CCP与ICP的差异化布局
国产刻蚀设备的主力厂商中微公司和北方华创，在产品方向上各有侧重。中微公司的传统优势在CCP（电容性等离子体刻蚀）领域，其产品制程从65nm一路提升至5nm，覆盖了约七成的介质刻蚀应用。北方华创则深耕ICP（电感性等离子体刻蚀）领域，核心设备制程达到28nm，更先进的14nm工艺已进入验证阶段。
| 厂商 | 核心领域 | 制程覆盖 | 关键进展 |
|---|---|---|---|
| 中微公司 | CCP | 65nm-5nm | 进入台积电7nm/5nm产线 |
| 北方华创 | ICP | 28nm | 14nm工艺验证中 |
突破路径：高深宽比刻蚀与原子层刻蚀
国产刻蚀设备在高端领域仍面临技术瓶颈，主要体现在高深宽比刻蚀和原子层刻蚀（ALE）等方面。高深宽比刻蚀是3D NAND存储芯片制造中的关键工艺，目前由国外设备公司主导。中微公司已完成该领域的技术突破，产品开发顺利。原子层刻蚀作为未来精准刻蚀的方向，目前仍处于应用初期。
常见问题
国产刻蚀设备在5nm节点是否已实现量产？
中微公司的CCP刻蚀设备已实现5nm量产，并成功进入台积电5nm产线。其ICP设备目前制程为28nm，用于5nm逻辑芯片的下一代ICP产品仍在研发中。
中微公司和北方华创的刻蚀设备有何不同？
中微公司主要专注于CCP（介质刻蚀），覆盖65nm至5nm；北方华创深耕ICP（硅刻蚀和金属刻蚀），核心制程为28nm。两者在技术上互补，但近年来中微公司也已切入ICP赛道。
国产刻蚀设备面临的最大技术挑战是什么？
最大的挑战在于高深宽比刻蚀技术，这主要用于3D NAND存储芯片制造。此外，原子层刻蚀（ALE）作为未来发展方向，目前仍处于应用初期，国产厂商也在积极布局。