混合型SiC模块的成本上升集中在续流二极管部分（该部分成本约为原来的3倍），因此终端厂商的议价空间主要围绕这一增量展开，而非整体模块成本成倍增加。这种“局部升级”的结构，让成本可控性与性能提升（整体损耗较传统IGBT下降67%）得以兼顾，也为上下游议价留出了相对灵活的博弈余地。
成本结构：为什么只贵了“一部分”
混合型SiC模块的核心思路是保留硅基IGBT主体结构，仅将续流二极管（FRD）更换为SiC器件。由于主体芯片不变，成本增量被限制在二极管环节——官方口径下，该部分成本提高约3倍，其余部分与原有IGBT方案基本一致。这种设计与全SiC模块相比，显著控制了整体成本上升幅度。
从SiC器件的成本构成看，衬底是最大的单一成本项，占SiC器件成本的47%，其次是外延（23%）和设计、制造、封测（30%）。衬底环节的高成本源于晶体生长速度慢、良率较低，且市场呈现高度集中格局。这意味着，即便只是把二极管换成SiC，上游衬底供应商在产业链中仍拥有较强的话语权。
议价博弈：上游集中，下游权衡
在混合型SiC模块的议价链条中，上游衬底市场的集中度较高，头部厂商占据主导份额，这赋予了上游较强的定价能力。对于中游模块厂商而言，SiC二极管部分的成本增量是议价的焦点——能否通过规模采购、工艺优化或长期协议来平滑这部分上升，直接关系到模块的最终报价。
对终端车企来说，决策逻辑则是节能收益与成本增量的权衡。混合型SiC模块带来的损耗下降（较传统IGBT降67%）意味着实际运行中的能耗节省，这部分收益能否覆盖二极管环节的成本上升，是车企评估采购意愿的核心。由于成本增量相对局部而非全面铺开，车企在谈判中具备一定空间，但最终定价仍受上游材料成本与供应格局的制约。
常见问题
混合型SiC模块比全SiC模块便宜很多吗？
是的。混合型方案仅将续流二极管更换为SiC，成本增量只发生在该部分（约为原来的3倍），而全SiC方案涉及主体芯片的整体替换，成本上升幅度显著更大。因此混合型被视为在性能与成本之间取得平衡的过渡方案。
衬底成本高对终端价格影响有多大？
衬底占SiC器件成本的47%，是最大的单一成本项。由于衬底生长速度慢、市场集中度高，其价格直接传导至SiC二极管乃至混合型模块的终端定价，是议价空间的主要约束因素。
终端车企更看重节能还是成本？
两者需要权衡。混合型SiC模块较传统IGBT可降低67%的整体损耗，对应实际使用中的能耗节省；但二极管部分成本提高约3倍，车企需评估节能收益能否覆盖成本增量。不同车型定位与运行工况下，这一权衡的结论可能不同。