在全球功率器件向碳化硅（SiC）转型的浪潮中，日本罗姆率先推出混合型SiC模块，在性能与成本之间取得了先机。中国企业在全球SiC产业链中总体处于追赶阶段，尤其在衬底等核心环节与海外龙头差距明显，但凭借新能源汽车等下游市场的需求优势，正在加速布局与突破。
混合型SiC模块：罗姆的差异化路径
混合型SiC模块是罗姆为解决SiC成本过高问题而提出的创新方案。其结构为硅基IGBT搭配SiC肖特基二极管（SBD），而非采用全SiC方案。根据罗姆的计算，相比传统IGBT，该混合模块可大幅降低器件功率损耗约67%，而成本上升部分主要来自二极管环节，整体可控。
在性能对比上，罗姆的“RGWxx65C系列”混合型IGBT产品，其开关损耗明显优于传统IGBT和普通超结MOSFET。这种设计思路在保证效率提升的同时，避免了全SiC方案的高昂成本，是当前功率器件领域的重要演进方向。
全球SiC产业链格局：一超多强，中国企业差距明显
全球SiC产业链呈现高度集中的格局。在技术壁垒最高的衬底环节，Wolfspeed占据约62%的市场份额，罗姆和II-VI分别占有13%和14%，而中国厂商天科合达的市占率仅为4%。衬底成本占SiC器件总成本的47%，是决定竞争力的关键。
海外厂商普遍采用IDM（垂直整合）模式，从衬底到器件制造一体化布局。中国功率器件企业则以专注某一环节为主，在衬底、外延、器件设计和封装等环节均有参与，但整体规模和技术成熟度与海外龙头相比仍有较大差距。
常见问题
中国企业在SiC领域的主要机会在哪里？
中国在新能源汽车等下游应用市场拥有巨大的需求优势，这为SiC器件的国产替代提供了广阔空间。同时，国内企业正加快在SiC衬底、器件设计等环节的研发和产能建设，有望通过规模化应用降低成本，逐步缩小差距。
混合型SiC模块相比全SiC模块有何优劣？
混合型SiC模块（IGBT+SiC二极管）在成本上更具优势，适合对成本敏感的应用场景；而全SiC模块（SiC MOSFET+SiC二极管）在开关频率、高温性能等方面更优，但成本更高。两者适用于不同功率等级和性能要求的场景。
罗姆的混合型SiC模块具体降低了多少损耗？
根据罗姆的数据，其混合型SiC模块相比传统IGBT，功率损耗可降低约67%。具体到开关损耗，以“RGWxx65C系列”为例，其开关损耗为34W，而传统IGBT为78W。