混合型SiC模块通过将传统IGBT模块中的续流二极管（FRD）替换为SiC肖特基二极管（SiC SBD），显著改变了功率器件的价值分配：SiC二极管部分的成本提升约3倍，而IGBT部分成本不变，这使得衬底环节在总成本中的占比大幅上升，同时IDM厂商和SiC衬底供应商的议价能力增强。
价值构成变化：衬底成本占比跃升
在传统IGBT模块中，芯片（IGBT+FRD）和封装是主要成本构成。但在罗姆（ROHM）推出的混合型SiC模块（如RGWxx65C系列）中，只有续流二极管被替换为SiC器件，其成本提高约3倍，IGBT芯片部分保持不变。由于SiC器件的成本结构中，衬底占据约47%，外延占23%，设计、制造、封测占30%，因此混合型模块中SiC二极管的引入，实质上将衬底环节的价值权重从传统模块的零提升至总成本的显著比例。
利润重新分配：IDM与衬底供应商受益
罗姆作为垂直整合（IDM）厂商，同时掌控SiC衬底、外延、设计与制造环节，能够将混合型模块中新增的SiC二极管价值内部化。而独立的SiC衬底供应商——如Wolfspeed（市占率62%）和II-VI（市占率14%）——在混合型模块供应链中的议价能力显著提升，因为衬底是SiC器件成本和技术壁垒最高的环节，其晶体生长速度慢（每小时仅0.2-0.3毫米），导致衬底成本居高不下。封装环节的价值占比则相对下降，因为混合型模块的封装工艺与IGBT模块类似，并未引入大幅增值。
常见问题
混合型SiC模块与传统IGBT模块相比，总成本上升多少？
混合型SiC模块的成本上升主要集中在SiC二极管部分（成本提高约3倍），IGBT部分成本不变。整体成本上升幅度取决于SiC二极管在模块中的价值占比，官方表述为“成本上升部分可控”。
混合型SiC模块对哪些环节的利润影响最大？
SiC衬底环节的利润占比提升最为显著，因为SiC二极管的成本近一半来自衬底。其次是拥有IDM能力的厂商（如罗姆），能够通过内部整合获取新增价值。独立衬底供应商（如Wolfspeed、II-VI）的议价能力也同步增强。
混合型SiC模块的性能优势是什么？
根据罗姆的计算，混合型SiC模块比传统IGBT模块的功率损耗下降约67%，具体表现为开关损耗从78W降至34W，开通损耗从11W升至13W（略有增加但开关损耗大幅降低）。