全球ICP刻蚀设备市场长期高度集中,拉姆研究、东京电子、应用材料三家合计占据约九成份额,国产厂商正凭借产线验证与重复订单逐步切入。中微公司的ICP单台机nanova自2020年起获得客户重复订单,并在近两年行业高景气中取得不错的销售成果;随后推出的双台机Twin-Star以高输出、低成本参与竞争,市场反应良好,被视为其继续提升市占率的可能路径。 就半导体设备的整体竞争位置而言,中微公司已从CCP领域的优势厂商,延伸为ICP赛道的重要参与者。
一、ICP刻蚀的竞争格局
刻蚀工艺按材料分为硅刻蚀、介质刻蚀与金属刻蚀,其中硅刻蚀主要采用ICP(电感性等离子体刻蚀)设备,介质刻蚀主要采用CCP(电容性等离子体刻蚀)设备。ICP与CCP的应用占比接近,分别为43%和42%,但ICP单机价值更高,市场规模明显大于CCP。
从供给端看,全球干法刻蚀设备市场集中度很高,拉姆研究、东京电子、应用材料三家份额合计约90%,其中拉姆研究在全球和大陆市场均占约50%,处于龙头地位。在大陆市场,中微公司份额约20%,北方华创约6%,国产替代已取得不错进展。
二、中微在ICP赛道的位置
中微公司的传统优势在CCP领域,制程覆盖65nm至5nm,并进入台积电供应链。在CCP进展良好的基础上,公司自2012年起研发ICP设备:单台机nanova经过前期产线验证后,从2020年开始获得客户重复订单,并在近两年行业高景气中取得不错的销售成果;双台机Twin-Star随后进入市场,同样具备高输出、低成本的特点,市场反应不错。
制程方面,综合各方面信息,中微公司的ICP设备直接追平28nm,公司还在积极研发下一代ICP产品,主要面向5nm逻辑芯片与1Xnm内存芯片等领先工艺。未来ICP设备有希望成为公司主要的业绩增长点。
| 维度 | 中微公司ICP设备情况 |
|---|---|
| 单台机 | nanova,2020年起获客户重复订单 |
| 双台机 | Twin-Star,高输出低成本,市场反应不错 |
| 制程 | 28nm |
| 下一代方向 | 面向5nm逻辑芯片、1Xnm内存芯片 |
常见问题
Twin-Star双台机在市场竞争中靠什么立足?
Twin-Star以高输出、低成本参与竞争,市场反应不错。它建立在单台机nanova已通过产线验证、并自2020年起获得客户重复订单的基础上,属于中微公司ICP产品线的延伸。
中微公司切入ICP赛道后,与北方华创是什么关系?
北方华创长期专注硅刻蚀(ICP)和金属刻蚀,核心设备制程达到28nm;中微公司此前主攻CCP,近两年切入ICP赛道。综合各方面信息,中微公司的ICP设备制程直接追平28nm,双方在ICP领域形成正面竞争关系。
国产刻蚀设备提升市占率的路径是什么?
从已有事实看,路径包括:通过产线验证获得客户重复订单,如nanova自2020年起的表现;以高输出、低成本的产品形态扩大覆盖,如Twin-Star;以及向更先进制程持续研发。在大陆市场,中微公司份额约20%,北方华创约6%,后续提升空间仍需以公开数据与客户验证进展为准。