当 IGBT 单管缺口扩大时,具备晶圆制造能力的 IDM 厂商在议价与价格传导上更占主动,而依赖外部流片的 Fabless 厂商则相对被动。核心原因在于,缺口阶段考验的是产能保障与产品调整速度:IDM 厂商自有晶圆产能,排产与产品切换更灵活;Fabless 厂商的晶圆主要依赖代工流片,供给节奏受制于合作方,向下游传导价格时腾挪空间也更小。下游逆变器厂商对 IGBT 成本高度敏感,缺口期往往优先锁定有产能保障的供应商。
一、缺口为何先出现在单管
从供给结构看,大功率(集中式)逆变器以模块出货为主,小功率(组串式)则以单管居多。随着户用与分布式装机发力,这类对价格接受度更高的场景带动单管需求走高,单管的缺口相对更大。这也意味着,缺口压力最先传导到以单管产品为主的供给方,以及其背后的晶圆产能环节。
二、IDM 与 Fabless 的议价差异
IGBT 晶粒代表晶圆制造能力:不具备这一环节的是设计厂商(Fabless),具备的通常是一体化 IDM 厂商。这一差别在缺口期被放大:
| 维度 | IDM 厂商 | Fabless 厂商 |
|---|---|---|
| 晶圆来源 | 自有产能 | 主要靠外部流片 |
| 产品调整 | 调整更快 | 受制于代工排产 |
| 价格传导 | 相对主动 | 相对被动 |
以斯达为例,其是典型的 Fabless 厂商,晶圆主要靠华虹流片,后续如果能有自己的晶圆产能出来,想必可以更进一步。而像比亚迪这样下游都在手上的公司,调整起来自然更快,其车规级进度在国内也较为领先。这说明在缺口阶段,产能自主程度直接影响议价地位。
三、下游逆变器的成本敏感度
逆变器是 IGBT 低压领域的重要下游,其中组串式单 GW 所需的 IGBT 器件多于集中式,微逆功率更低、IGBT 成本占比更高,对应的市场空间也更大。正因 IGBT 在逆变器成本中占比较高,逆变器厂商对器件价格与供应稳定性都较为敏感。缺口扩大时,能够稳定供货的一方更容易获得订单倾斜,而缺乏自有产能的一方在价格传导上更被动。
常见问题
IGBT 单管缺口扩大,谁最受益?
具备自有晶圆产能的 IDM 厂商相对更占优势,因为排产与产品调整更灵活,供给保障能力更强。Fabless 厂商则受制于代工流片节奏,议价与传导空间相对有限。
为什么 Fabless 厂商价格传导更被动?
Fabless 厂商的晶圆主要依赖外部流片,产能与排产不由自身完全掌握。缺口期上游代工资源紧张时,其成本与交付的不确定性更高,向下游传导价格时腾挪余地也更小。
下游逆变器厂商更看重什么?
逆变器中 IGBT 成本占比较高,厂商对价格与供应稳定性都较为敏感。缺口阶段,能否稳定供货往往是其选择供应商的重要考量。