汽车零部件中的部分核心部件，如高端IGBT模块、车规级MCU等，仍存在一定进口依赖，但以汇川技术为代表的国内企业正通过大规模产能扩建和技术突破，加速推动国产替代进程。汇川技术在常州投资30亿元建设新能源汽车核心零部件二期项目，建成后将形成年产动力总成系统60万套、电机40万套、电机控制器120万套等产能，有力提升关键零部件的自主供给能力。
国产替代的进展与瓶颈
在电驱动系统领域，国产替代已取得显著进展。汇川技术作为第三方供应商中的领军者，其电机控制器、动力总成等产品已大规模应用。不过，IGBT模块等功率半导体是电控核心部件，虽然国内已有斯达半导、中车时代电气等供应商，但高端车规级IGBT及碳化硅（SiC）模块仍部分依赖进口。英搏尔则采用IGBT单管并联技术，该技术全球仅特斯拉和英搏尔掌握，体现了国产企业在技术路线上的创新突破。
汇川技术产能扩建如何推动国产替代
汇川技术的产能扩建是推动国产替代的关键举措。其常州项目（二期）总投资30亿元，建设周期约24个月，主要生产动力总成、电机、电机控制器及电源等产品。该项目建成后，将大幅提升汇川在新能源汽车核心零部件领域的自产能力，减少对外部供应链的依赖。同时，汇川通过大规模生产实现低成本运作，并保持技术领先——其动力总成转速已达16000转，下一代产品将采用2万转技术，这有助于带动国内上游材料、芯片等配套产业发展，形成更完整的国产供应链生态。
常见问题
汇川技术的产品中IGBT是否完全国产化？
目前并非完全国产化。汇川技术的电控产品中，IGBT模块部分采用国内供应商（如斯达半导、中车时代电气等）的产品，但高端车规级IGBT及碳化硅模块仍有一定进口比例。随着国内功率半导体技术突破和产能扩建，国产化率有望逐步提升。
汇川技术的产能扩建对行业有何影响？
汇川技术的产能扩建（如常州二期项目）将显著提升国内新能源汽车电驱系统的自主供给能力，降低对进口零部件的依赖。同时，大规模生产有助于降低整体成本，增强国内供应链的竞争力，带动上游材料、芯片等环节的国产替代进程。
国产替代面临的主要瓶颈是什么？
主要瓶颈包括：高端车规级IGBT/碳化硅芯片的制造工艺和可靠性仍需提升；车规级MCU等控制芯片的国产化率较低；以及部分精密传感器、高端轴承等仍依赖进口。这些环节需要持续的研发投入和产业链协同突破。