KrF光刻胶对应248nm光源、0.24-0.15μm制程，主要应用于3D堆叠架构；ArF光刻胶对应193nm光源，其中干法ArF覆盖65-130nm、浸没式ArF覆盖45-10nm，用于相对先进的制程工艺。 两者是半导体光刻胶中最主要的两大类，其需求结构分别由存储芯片的堆叠层数提升与逻辑芯片的先进制程演进所驱动。
两类光刻胶的分工逻辑
光刻胶需要与光刻机的曝光光线相匹配，因此形成了按曝光波长划分的体系。KrF与ArF的定位差异，本质上来自制程精度要求的不同：
| 类型 | 曝光光源波长 | 制程工艺 | 适用芯片尺寸 |
|---|---|---|---|
| KrF | 248nm | 0.24-0.15μm | 8、12 英寸 |
| 干法 ArF | 193nm | 65-130nm | 12 英寸 |
| 浸没式 ArF | 193nm | 45-10nm | 12 英寸 |
从应用角度看，KrF主要用在3D堆叠架构中，ArF则主要用在相对先进的制程工艺中。
下游需求由什么驱动
12英寸晶圆产线的扩张是两类光刻胶共同的产能基础——KrF适用于8、12英寸，ArF（含干法、浸没式）均对应12英寸。
存储堆叠层数的提升直接拉动KrF需求：3D堆叠架构是KrF的核心应用场景，堆叠层数增加意味着更多光刻与刻蚀循环。
先进制程的推进则支撑ArF需求：从65-130nm到45-10nm的区间，均依赖ArF体系完成图形转移。
常见问题
KrF光刻胶主要支撑哪些芯片应用？
KrF对应248nm光源、0.24-0.15μm制程，适用于8英寸和12英寸晶圆，主要应用在3D堆叠架构中。这一场景与存储芯片通过增加堆叠层数提升容量的技术路线直接相关。
ArF光刻胶主要支撑哪些芯片应用？
ArF对应193nm光源，分为干法ArF（65-130nm）和浸没式ArF（45-10nm）两类，均用于12英寸晶圆，主要面向相对先进的制程工艺。制程越先进，对ArF体系的依赖越明显。
为什么这两类是市场规模最大的半导体光刻胶？
从应用覆盖面看，KrF与ArF分别承接了3D堆叠架构和相对先进制程两大主流需求，因此成为最主要的两类光刻胶。在原材料端，成膜树脂是价值量最大的部分，约占材料成本的50%，其中ArF光刻胶树脂的价值量占比更高，是产业链国产化的关键环节。