激光雷达BOM中发射与接收模块合计占比达60%（各占30%），是价值量最高的部分。在车企年降压力下，价格传导并非均匀分摊，上游激光器与探测器的技术路线选择、供应集中度，决定了各环节议价权的强弱。总体来看，掌握核心芯片工艺、且技术路线具备稀缺性的上游厂商，在年降谈判中相对更占主动。

收发模块的价值量与议价基础

激光雷达的硬件拆解中，扫描模块虽常被用于产品命名（机械式、固态、半固态），但从物料成本看，发射模块与接收模块各占BOM的30%，远高于机械装置等其他配件（8%）和控制模块（5%）。价值量高低直接导致估值差异，收发模块在二级市场上明显更受青睐。

这一成本结构意味着，整机厂的年降压力首先冲击的便是收发模块供应商。而收发模块的核心壁垒在于上游的激光器芯片与探测器芯片——它们的工艺成熟度、良率与供应集中度，决定了整机厂能否找到替代供应商，从而直接影响议价权归属。

技术路线决定价格传导弹性

905nm与1550nm的成本结构差异

当前主流方案是905nm波长，其激光器采用砷化镓（GaAs）材料，性价比优势明显，在产业中占据主流地位。而1550nm方案在探测距离与人眼安全方面更具优势，但激光器需使用磷化铟（InP）材料，成本显著更高。

从成本对比数据看，4英寸磷化铟（InP）EEL激光器在外延、衬底等环节的成本占比均高于6英寸砷化镓（GaAs）VCSEL与EEL，且若按相同尺寸对比，两者差距将进一步拉大。这意味着：

  • 905nm方案：上游供应相对成熟、参与者较多，价格年降的传导弹性较大，整机厂有更多议价空间；
  • 1550nm方案：材料成本高、供应链集中，价格传导弹性较小，上游厂商在年降谈判中更具抗压性。

集成程度：VCSEL的产业趋势

在905nm波长下，存在EEL（边发射激光器）与VCSEL（垂直腔面发射器）两种结构。VCSEL的制作工艺与主流半导体产业更为相近，而后道工序成本上EEL至少高出VCSEL一倍以上；此外，VCSEL可通过堆叠激光器弥补功率较低的短板。因此，VCSEL更有可能主导未来产业链。工艺兼容性带来的成本下降空间，也为整机厂在年降压力下提供了技术降本的路径。

供应链议价权的关键变量

整机厂对冲年降压力的核心策略是垂直整合与自研芯片。部分头部整机厂已选择VCSEL技术路线，通过自研发射模组来掌握核心环节。但这一策略的成效边界在于：上游化合物半导体（砷化镓、磷化铟）的外延生长与晶圆工艺壁垒较高，并非所有整机厂都具备自研能力。对于无法实现垂直整合的厂商，其对上游激光器与探测器供应商的依赖度更高，在年降谈判中议价权相对有限。

常见问题

收发模块占BOM六成，是否意味着整机厂对上游压价空间很大？

不一定。虽然收发模块合计占比60%，但上游激光器芯片（尤其是化合物半导体工艺）的供应集中度较高，且车规级验证周期长、替代成本高。整机厂对上游的压价能力，取决于其自研能力与供应商的可替代性。

1550nm方案在年降压力下议价能力更强吗？

从成本结构看，1550nm激光器使用磷化铟材料，成本显著高于905nm的砷化镓方案，且供应链更为集中。在年降谈判中，这类上游厂商的降价空间相对有限，议价能力相对更强。

VCSEL技术路线对年降压力有何影响？

VCSEL工艺与主流半导体产业兼容，后道工序成本显著低于EEL，且可通过堆叠提升功率。技术降本空间的存在，使得采用VCSEL路线的整机厂在面对年降要求时，有更多通过工艺优化消化成本的空间。