激光雷达的扫描模块本质上是一个“光学调度中枢”：它用有限的收发通道去满足尽可能广的视场角（FOV）覆盖要求，向上承接激光器、探测器等光学与芯片元件，向下对接整车感知系统对覆盖范围与通道数量的要求。**机械、固态、半固态三种激光雷达形式的差异，主要就体现在扫描模块的方案设计上。**从产业链价值分布看，扫描模块并非成本重心——按2021年激光雷达物料清单（BOM）口径，发射模块与接收模块各占30%，人工调试占25%，机械装置等其他配件占8%，控制模块占5%，其他占2%，扫描相关的机械结构件处于相对靠后的位置。
扫描模块：用有限通道换取更广视场
激光雷达的核心功能是测距，目前主流原理是ToF（飞行时间法），即依据激光往返时间判断目标与自身距离；下一代技术为FMCW（调频连续波），通过回波频率差计算距离，不易受极端天气等外界环境干扰。无论采用哪种原理，发射与接收环节都必不可少，扫描模块则承担“打辅助”的角色——在收发通道数量受限的前提下，尽可能扩大FOV覆盖范围。这也解释了为何行业以“扫描方式”来命名机械、固态、半固态等整机形态：方案差异集中体现在这一环节。
向上游：扫描方案与光源、探测器相互牵制
扫描模块的设计并非孤立，它必须与上游光学元件和收发芯片匹配。光源方面，905nm与1550nm是两条具备产业基础的波长路线：905nm对应消费电子，1550nm对应光通信。官方资料表述为，1550nm在探测距离与人眼安全角度更有优势，主要制约在于成本——其激光器材料采用磷化铟（InP），相比常见的砷化镓（GaAs）成本更高；按Yole对比数据，4英寸InP EEL与6英寸GaAs VCSEL、6英寸GaAs EEL相比，后道工序成本分别为100%、62%、58%。当前行业格局中905nm为主流，1550nm的机会被认为出现在测距逻辑从ToF转向FMCW之后，因FMCW广泛用于光通信领域，光源恰为1550nm，具备产业链基础。
探测器与光源波长相互匹配：受硅材料限制，SiPM（硅光电倍增管）只能探测1100nm以下光子，无法对应1550nm光源，该波长下只能使用APD（雪崩光二极管）；而在905nm波长下，更敏感的SPAD（单光子雪崩光二极管）与SiPM更具优势，其缺点是易受强光干扰。结构层面，905nm下主要有EEL（边发射激光器）与VCSEL（垂直腔面发射器）两种路线，官方资料表述为VCSEL更有可能主导未来产业链：其工艺与主流半导体产业更相近，而EEL需在晶圆形成后切割并处理、镀膜侧面，按Yole统计，EEL后道工序成本至少高出VCSEL一倍以上；同时VCSEL可通过堆叠激光器改善过去功率较低的问题。
向下游：整车感知需求反向定义扫描方案
整车感知系统对FOV覆盖与通道数的要求，最终会反向传导至扫描模块乃至上游元件的选型。发射、接收模块在BOM中合计占比较高，也使其在二级市场更受关注，而扫描模块则以结构设计与调试工艺影响整链的成本平衡。产业链各环节的协同逻辑因此清晰：整车定义覆盖需求，扫描模块决定如何在有限通道下实现该覆盖，上游激光器与探测器再据此匹配波长与结构路线。
常见问题
扫描模块是激光雷达里价值量最高的部分吗？
不是。按2021年激光雷达BOM口径，发射模块与接收模块各占30%，明显高于扫描相关部分，人工调试占25%，机械装置等其他配件占8%。价值量分布也直接影响了产业链各环节在资本市场受关注的程度。
为什么905nm成为当前主流波长？
905nm对应消费电子产业基础，1550nm对应光通信领域，两者都具备现成产业链。官方资料表述为，1550nm在探测距离与人眼安全角度更有优势，但成本更高，其激光器材料使用磷化铟（InP），相比砷化镓（GaAs）更贵；综合性价比考虑，905nm在当前行业格局中为主流。
VCSEL与EEL的区别是什么？
EEL平行于衬底从侧面发射激光，VCSEL垂直于衬底从上表面发射。官方资料表述为VCSEL更有可能主导未来产业链：其制作工艺与主流半导体产业更为相近，而EEL需在晶圆形成后再切割并处理、镀膜侧面，按Yole统计，EEL后道工序成本至少高出VCSEL一倍以上；VCSEL还可通过堆叠激光器改善功率较低的问题。