北方华创的刻蚀设备覆盖硅刻蚀、金属刻蚀、深硅槽刻蚀、化合物刻蚀及介质刻蚀等多个品类，核心设备制程达到28nm，14nm工艺已进入验证阶段，ICP设备累计出货量超过1000台。其下游应用覆盖逻辑芯片、存储芯片、功率器件、MEMS等多个领域，不同细分领域对刻蚀工艺的需求存在差异，整体需求结构呈多元化。
刻蚀品类与核心技术
北方华创在刻蚀领域主要专注于硅刻蚀（ICP）和金属刻蚀，产品线还包括深硅槽刻蚀、化合物刻蚀及介质刻蚀。其ICP设备核心制程达到28nm，更先进的14nm工艺已进入验证阶段。2020年时，ICP设备累计出货量已超过1000台，产品已进入多家国内晶圆厂并得到大规模应用。
下游应用场景与需求结构
刻蚀设备的下游应用涵盖多个半导体细分领域，各领域对刻蚀工艺的要求不同：
- 逻辑芯片：随着制程向3D FinFET结构发展，刻蚀次数显著增加（如14nm需64次刻蚀，7nm需140次），对硅刻蚀的精确度要求极高。
- 存储芯片：3D NAND制造中，芯片内部层数增加，刻蚀设备价值量占比从2D NAND的15%提升至50%，需要高深宽比刻蚀能力。
- 功率器件：深硅槽刻蚀是制造功率器件的关键工艺，北方华创提供专门的深硅槽刻蚀设备（如NMC508DTE、HSE系列）。
- MEMS及其他：化合物刻蚀、介质刻蚀等品类服务于MEMS、化合物半导体等特色工艺。
常见问题
北方华创的刻蚀设备主要采用哪种技术路线？
北方华创主要采用**电感性等离子体刻蚀（ICP）**技术，适用于硅刻蚀和金属刻蚀，产品包括多款8英寸和12英寸的硅刻蚀机、金属刻蚀机。
其刻蚀设备在先进制程上的进展如何？
核心设备制程达到28nm，更先进的14nm工艺已进入验证阶段。产品已在国内多家晶圆厂实现大规模量产应用。
刻蚀设备在3D NAND中的重要性如何？
在3D NAND制造中，刻蚀设备的价值量占比从2D NAND的15%提升至50%，因为芯片层数增加需要大量高深宽比刻蚀工艺，对刻蚀机的数量和质量都提出了更高要求。