半导体设备刻蚀品类覆盖广，全球格局与中国位置如何？

"中国厂商在28nm等成熟制程已实现量产和规模化应用，具备较强竞争力。在14nm及更先进制程领域，正积极进行客户验证和研发，追赶全球领先水平。"

"北方华创和中微公司的刻蚀设备已进入华虹、中芯国际、长江存储等多家国内主流晶圆厂。中微公司的CCP设备更已进入台积电7nm和5nm产线。"

"随着芯片制程向更小节点演进（如从65nm的20次刻蚀增加到5nm的160次），以及3D NAND堆叠层数增加，晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量要求持续提升，驱动刻蚀环节价值量增长。"

全球刻蚀设备市场高度集中，由泛林半导体（拉姆研究）、东京电子和应用材料三大巨头主导，合计份额约90%。中国厂商中微公司和北方华创已实现突破，在成熟制程（如28nm）具备量产能力，并正向14nm及更先进制程验证迈进，但在全球份额上仍与头部企业存在较大差距。

刻蚀设备的两大主流：ICP与CCP

刻蚀设备主要分为电感性等离子体刻蚀（ICP）和电容性等离子体刻蚀（CCP）两大类。ICP主要应用于硅刻蚀和金属刻蚀，对精确度要求高；CCP则主要用于介质刻蚀（如氧化硅、氮化硅），需要高离子能量。两者在应用占比上接近，ICP和CCP分别占约43%和42%。

根据Gartner数据，2020年全球干法刻蚀设备市场中，泛林半导体、东京电子和应用材料三家合计占据约90%的份额，其中泛林半导体以约47%的份额领先。中国厂商中，中微公司和北方华创在大陆市场的份额分别为20%和6%（SEMI数据），展现出国产替代的初步成果。

北方华创：专注于ICP（硅刻蚀）和金属刻蚀。其核心设备制程达到28nm，更先进的14nm工艺已进入验证阶段。ICP设备累计出货量已超过1000台（截至2020年），产品已进入多家国内晶圆厂并大规模应用。
中微公司：在CCP领域覆盖从65nm到最先进的5nm工艺，并进入台积电7nm和5nm产线。其ICP设备制程也达到28nm，并已获得客户重复订单。

中国厂商在28nm等成熟制程已实现量产和规模化应用，具备较强竞争力。在14nm及更先进制程领域，正积极进行客户验证和研发，追赶全球领先水平。

北方华创和中微公司的刻蚀设备已进入华虹、中芯国际、长江存储等多家国内主流晶圆厂。中微公司的CCP设备更已进入台积电7nm和5nm产线。

随着芯片制程向更小节点演进（如从65nm的20次刻蚀增加到5nm的160次），以及3D NAND堆叠层数增加，晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量要求持续提升，驱动刻蚀环节价值量增长。