北方华创的溅射PVD设备已批量进入长江存储等主流存储产线，在长江存储PVD采购中占据约20%的份额，是当前半导体设备国产替代进展最快的细分赛道之一。整体来看，薄膜沉积设备的国产化已从“单点突破”走向“多点开花”，但不同细分品类的替代进度差异明显——溅射PVD领先，CVD仍在爬坡，ALD则处于卡位阶段。
溅射PVD：国产替代的先行者
在薄膜沉积设备中，溅射PVD是国产化率最高的细分方向之一。以长江存储的采购数据为例，北方华创在溅射PVD品类中的中标占比可达20%左右，已实现批量供货。北方华创已推出多款PVD产品，覆盖90-14nm多个制程工艺，应用于集成电路金属互联、先进封装、功率半导体等领域，打破了国际巨头在PVD领域的垄断格局。
相比之下，CVD类设备的国产化进度明显滞后。同样以长江存储的数据为参考，CVD类设备的国产供应商主要是拓荆科技，整体占比仅约2-3%。这一差距也解释了为何溅射PVD被视为国产替代的“尖刀连”。
国产化率全景：从存储产线看替代进度
从主流存储产线的中标数据可以更直观地看到国产替代的推进节奏。以机台数量计算，长江存储的薄膜设备国产化率在多个年份间维持在个位数水平；而华虹无锡、华力集成等产线的薄膜沉积设备国产化率相对更高，总体在10%左右。
| 产线 | 国产化率参考（以机台数量计） |
|---|---|
| 长江存储 | 北方华创PVD占比约20%；CVD类（拓荆）占比约2-3% |
| 华虹无锡 | 北方华创、拓荆合计约10%左右 |
| 华力集成 | 总体约10%水平 |
需要说明的是，以上数据来自特定产线、特定年份的中标统计，反映的是阶段性的替代进度，而非全行业统一水平。但趋势已经清晰：PVD品类率先实现规模化突破，CVD和ALD仍在追赶。
国产设备的差异化布局
目前薄膜沉积设备国产替代的主力是北方华创和拓荆科技两家，各自选择了不同的主攻方向：
- 北方华创：优势集中在溅射PVD，同时布局CVD和ALD，ALD技术节点覆盖至28nm。
- 拓荆科技：主攻PECVD，是国内唯一实现PECVD产业化的国产厂商，工艺覆盖180-14nm逻辑芯片及64/128层3D NAND，ALD布局则推进至14nm及以下。
常见问题
溅射PVD设备主要用在哪些环节？
溅射PVD主要用于沉积金属导电薄膜，比如集成电路后道金属互联的铝垫、Ti/TiN金属硬掩膜等，也覆盖先进封装、MEMS、功率半导体等应用场景。
国产CVD设备和PVD设备的差距有多大？
差距较为明显。以长江存储的中标数据为例，北方华创在溅射PVD品类中占比约20%，而CVD类设备国产占比仅约2-3%，两者相差近十倍。
薄膜沉积设备国产替代的下一个突破口在哪？
ALD被视为“兵家必争之地”，其性能可满足先进制程和3D结构需求。目前北方华创ALD覆盖至28nm，拓荆科技推进至14nm及以下，与国际巨头的差距正在逐步缩小。